从热力学和动力学出发,推导出该传感器的极限电流公式,从理论上找到了极限电流值与氧摩尔分数、气体扩散系数、温度和小孔几何尺寸等因素的关系。并推导出传感器的响应时间公式

综合布线应优先考虑保护人和设备不受电击和火灾之虑。严格按照规范考虑照明电线、动 力电线、通信线路、暖气管道、冷热空气管道、电梯之间的距离、绝源线、裸线以及接地与焊 接等问题,其次才能考虑线路的走向和美观程度。下面仅以工程设计中的有关问题分计算机网 络综合布线的工程设计、设备间设计、水平干线设计、垂直干线设计、管理间子系统设计、工 作区子系统设计

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

用动电位极化方法研究了3种不同化学镀工艺得到的Ni-P非晶态合金镀层,在1mol/1NaOH碱性介质中的阳极极化行为,并通过XPS分析了不同极化电位下的表面膜.结果表明:在所研究的体系中不存在随P增加阳极溶解电流下降的规律;尽管合金表面存在H2PO2-和PO4-离子,但并没有有效地抑制Ni-P合金的阳极溶解。P的强烈的水化作用可能是导致非晶态Ni-P合金的阳极溶解电流比纯Ni更大的主要原因

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

1、实验准备及常规仪器设备使用 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放基本应用电路 4、测量放大器 5、晶体管输出特性曲线测试电路 6、LC三点式振荡器 7、模拟乘法器及调幅与检波电路

3－1 概述 3-2 假定输入为正弦量的算法 3-3 突变量电流算法 3－4 选相方法 3-5 傅里叶级数算法 3-6 R-L模型算法 3-7 故障分量阻抗继电器 3-11 算法的动态特性

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

§3.1 概述 §3.2 单母线接线 §3.3 双母线接线 §3.4 无母线接线 §3.5 限制短路电流的方法 §3.6 典型主接线分析