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《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第3章半导体基础原理、组件与制程

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《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第1章半导体制程技术导论

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浙江大学网络教育课程：《电力电子技术》教学资源（PPT课件）第一章功率半导体器件 3.功率半导体器件

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例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

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1.Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是()。 A.正高子填隙 B.正离子缺位 C.负离子填隙

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《机械工程测试技术》课程教学资源（技术问答）12、半导体传感器_06、为什么霍尔元件不用金属制作，而用半导体，且用

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《机械工程测试技术》课程教学资源（技术问答）12、半导体传感器_03、半导体传感器有哪些特点

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《机械工程测试技术》课程教学资源（技术问答）12、半导体传感器_02、常见的半导体传感器有哪些

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《机械工程测试技术》课程教学资源（技术问答）12、半导体传感器_01、半导体材料有哪些敏感特性

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例1.设p型硅(如图7-2),受主浓度N4=10ycm3,试求: (1)室温下费米能级F的位置和功函数 (2)不计表面态的影响,该p型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层?