功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

前言 7.1abel-DL语言的基本语法 7.2ABE-HDL语言源文件的基本结构 7.3逻辑描述

1.2半导体二极管 1.2.4二极管的等效电路 等效的目的:将非线性的二极管线性化,以便分析和计算。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路

一、光交换概述 二、光交换的基本器件 三、光交换原理 四、光分组交换系统

第一部分 激光原理部分 第一章 激光的基本原理 第三章 空心介质波导与谐振腔 第二章 开放式光腔与高斯光束 第四章 电磁场和物质的共振相互作用 第五章 激光振荡特性 第六章 激光放大特性 第七章 激光振荡的半经典理论 第二部分 激光技术部分 第八章 激光特性的控制与改善 第九章 激光器件

1.1半导体与二极管 1.2特殊二极管 1.3半导体三极管 1.4场效应管

一.光是横波 1、光是电磁波一—横波 2、用二向色性晶体(电气石晶体、硫酸碘奎宁晶体)检验——横波。 最初的器件是用细导线做成的密排线栅(金质线栅,d=5.08×10mm),光通过时,由于与导线同方向的电场被吸收,留下与其垂直的振动

1.1计算机系统的多级层次结构 1.2计算机系统结构、组成与实现 1.3软件取舍与计算机系统的设计思路 1.4软件、应用、器件对系统结构的影响 1.5系统结构中的并行性及系统的分类

一、实验目的: 1 了解TTL与非门主要参数的测试 2 了解集成元器件引脚的排列特点 3 掌握TTL与非门逻辑功能的测试方法 4 数字电路学习机的介绍

8.1 I2C串行总线的组成及工作原理 8.2 80C51单片机I2C串行总线器件的接口