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1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比: q=cV 比例系数C称为孤立导体的电容
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⚫线性电路的一般分析方法•普遍性:对任何线性电路都适用。复杂电路的一般分析法就是根据KCL、KVL及元件电压和电流关系列方程、解方程。根据列方程时所选变量的不同可分为支路电流法、网孔电流法和节点电压法。•元件的电压、电流关系特性。•电路的连接关系—KCL,KVL定律。⚫方法的基础•系统性:计算方法有规律可循
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1-1 电路及集总电路模型 1-2 电路变量 电流、电压及功率 1-3 基尔霍夫定律 1-4 电阻元件 1-5 电压源 1-6 电流源 1-7 受控源 1-8 分压公式和分流公式 1-9 两类约束 KCL、KVL方程的独力性 1-10 支路分析
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4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路) 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
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控制电路是由司机控制器、低压电器、主电路与辅助电路中的各电器电磁 线圈及各电器的联锁联锁等组成的电路。由于主电路和辅助电路中各电器的动 作均要由控制电路控制,因而对控制电路也提出了相应的要求,目的是保证行 车的安全,便于操纵、运用、维修,尽量减少电器设备,以达到最佳的经济指 标
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2.1 正弦电压与电流 2.2 正弦量的相量表示法 2.3 单一参数的交流电路 2.4 电阻、电感与电容串联的交流电路 2.5 阻抗的串联与并联 2.6 电路中的谐振 2.7 功率因数的提高 2.8 三相电路 本章小结: 1. 搞清对称三相负载Y和△联结时相线电压、相线电流关系。 2. 掌握三相四线制供电系统中单相及三相负载的正确联接方法,理解中线的作用。 3. 掌握对称三相电路电压、电流及功率的计算
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电路条件发生变化:指电路接入电源、从电源断开、电路参数改变等 暂态过程:当电路条件发生变化时电路的状态就会发生变化。当电路中有电容或电感等储能元件存在时,则电路状态的转变就不是突变的,而需要经过一定短暂的时间才能达到稳态——即有一个暂态过程
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7.1 动态电路的方程及其初始条件 7.7 一阶电路和二阶电路的阶跃响应 7.2 一阶电路的零输入响应 7.8* 一阶电路和二阶电路的冲激响应 7.3 一阶电路的零状态响应 7.9* 卷积积分 7.4 一阶电路的全响应 7.10* 状态方程 7.5 二阶电路的零输入响应 7.6 二阶电路的零状态响应和全响应 7.11* 动态电路时域分析中的几个问题
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二、等效法 三、相量图的辅助解法 6.6 正弦稳态电路的功率 一、一端口电路的功率 二、最大功率传输条件 6.7 含耦合电感与理想变压器 电路的正弦稳态分析 一、回路法分析 二、一次侧、二次侧等效电路 三、T形去耦等效电路 4.8 三相电路 一、对称三相电源 二、Y-Y电路分析 三、Y-Δ电路分析 6.1 正弦量 一、正弦量的三要素 二、正弦量的有效值 三、相位差 6.2 正弦量的相量表示 一、正弦量与相量 二、正弦量的相量运算 6.3 电路定律的相量形式 一、无源元件VAR的相量形式 二、KCL与KVL的相量形式 6.4 阻抗与导纳 一、阻抗与导纳 二、正弦稳态电路相量模型 6.5 正弦稳态电路的相量分析法 一、方程法
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当电路中的激励(电源)为正弦量时,电路中 各部分的响应(电压或电流也为正弦量,这 样的电路就是正弦电路。 交流发电机所产生的电动势和正弦信号发生 器所输出号电压都是随时间按正弦规律变化 的。因此,正弦电路是电工学中很重要的部 分。 本章即讨论有关正弦电路的一些基本概念、 基本理论和基本分析方法
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