Sec. 5-1 Force Laws Sec. 5-2 Tension and normal forces Sec. 5-3 Friction forces Sec. 5-4 The dynamics of uniform circular motion Sec. 5-5 Time-dependent force Sec. 5-6 Noninertial frames and pseudoforces Sec. 5-7 Limitations of Newton’s law

1已知质点沿x轴作直线运动,其运 动方程为:x=2+6t2-2t3,式中x的单位 为m,t的单位为s.求:(1)质点在运动 开始后4.0s内位移的大小;(2)质点在该 时间内所通过的路程;(3)t=4s时质点的 速度和加速度

9-1 卤代烃的分类和命名 9-2 卤代烃的来源和制法 9-3 卤代烃的物理性质 9-6 重要代表物 9-4 卤代烃的化学性质 9-5 亲核取代反应历程

一、基本内容 1导体静电感应 (1)导体内部电场强度为零 (2)导体表面电场强度垂直导体表面; (→该点附近处导体表面的电荷面密度) (3)导体是等势体 (4)导体电荷分布在外表面,孤立导体的电荷面密度沿表面分布与各处曲率有关

11.3数据库设计与实施 11.3.1概念结构设计 11.3.2逻辑结构设计 11.3.3物理结构设计 11.3.4数据口口施

6.4同步发电机的并联运行 教学要求: 1熟悉同步发电机并联合闸的条件和方法 2.掌握同步发电机并联运行的基本电磁关系、 功率及转矩平衡方程式 3、掌握有功功率和无功功率的调节 4、理解V形曲线的物理意义

11-1 醛和酮的分类和命名 11-2 醛和酮的来源和制法 11-3 醛和酮的物理性质 11-5 重要代表物 11-4 醛和酮的化学性质

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.10全通函数与最小相移函数的z-p分布 1、全通函数、定义、特征与应用 2、最小相移函数 3、零极点分析的物理解释 4、极零点靠近虚轴高阶系统分析

1 电荷的量子化 电荷守恒定律 4 电场强度的计算 5 电场线 电场强度通量 8 电势 电势差 3 电场 电场强度 2 点电荷 真空中的库仑定律 7 静电场力的功 电势能 6 高斯定理及其应用 9 电势的计算 电势叠加原理