§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数

§6.1 概述 §6.2 零点漂移 §6.3 差动放大器 §6.4 恒流源电路 §6.5 集成运算放大器

§7.1 反馈的基本概念 §7.2 负反馈放大器的表示方法 §7.3 负反馈对放大电路性能的影响

§8.1 运算电路 8.1.1 比例运算电路 8.1.2 加减运算电路 8.1.3 积分电路和微分电路 §8.2 电压比较器 1、电压比较器 2、电压比较器的传输特性 3、理想运放的非线性工作区 4、滞回比较器 §8.3 波形发生器

§9.1 整流电路 1、单相半波整流电路 2、单相全波整流电路 3、单相桥式整流电路 4、整流元件选择 §9.2 滤波电路 9.2.1 电容滤波电路 9.2.2 电感滤波电路 §9.3 模拟稳压电源 9.3.1 稳压二极管稳压电路 9.3.2 串联稳压型电源 9.3.3 三端集成稳压器

§5.1 放大电路的组成和工作原理 §5.2 放大电路的基本分析方法 §5.3 放大电路的三种接法 §5.4 多级放大电路 §5.6 放大电路的频率特性 §5.5 场效应管放大电路 §5.7 输出级和功率放大器

§2.1 动态电路及初始条件 2.1.1 动态电路的过渡过程 2.1.2 动态电路的初始条件 §2.2 一阶电路的时域分析 2.2.1零输入响应 2.2.2零状态响应 2.2.3全响应 §2.3 一阶电路三要素法

• Thermo-effect in chemical reaction and evaluation of reaction heat • Theoretical adiabatic combustion temperature • Chemical equilibrium and equilibrium constant • Judgment on direction and limitation of chemical reaction • Evaluation on equilibrium constant and dissociation

•Ideal-Gas Equation of State •Heat Capacity, Specific Heat, Internal Energy & Enthalpy • Property of Ideal-Gas and Its Mixture • Real-Gas & Derivation from Ideal-Gas • Property Diagrams of Phase-Change process for Pure Substances •Thermodynamic property of humidity air (moisture)

一、分子扩散与菲克定律 二、气相中的稳定分子扩散 三、扩散系数 四、对流传质 五、吸收机理——双膜理论 六、吸收速率方程式