一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、纳米材料的概述:从分子识别、分子自组装、吸附分子与基底的相互关系、 分子操作与分子器件的构筑,并通过具体的例证加以阐述,包括在STM操作下单分子 反应;有机小分子在半导体表面的自指导生长;多肽半导体表面特异性选择结合;生 物分子/无机纳米组装体;光驱动多组分三维结构组装体;DNA分子机器

一.硼烷(Borane) 1.硼烷的组成

第7章金属羰基和π酸配体化合物 1.d区过渡金属与羰基:CO和类羰 基:PR3(膦),:PX3,:AsR3(),NO,:CNR(异腈) 2.d区过渡金属为低价态(零价或负价) hsA中属于SA

1. 元素在周期表中的酸碱性 2. 酸碱质子理论和酸碱概念的相对性 3. Lewis酸碱 4. 软硬酸碱

第3章.配位场理论和配合物的电子光谱 一.d轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的 基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,大小的表征 一电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱),TS图 三.电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)

§3.1 水的离解平衡和溶液的pH值 §3.2 弱酸、弱碱的解离平衡 §3.3 缓冲溶液 §3.4 酸碱质子理论

第四章氧化和还原 4.1氧化还原反应的基本概念 4.2原电池 4.3电极电势 4.4电极电势的应用

第五章原子结构与元素周期律 第一节原子核外电子的运动状态 第二节原子中电子的排布 第三节原子核外电子排布与元素周期律 第四节元素性质的周期性

第九章主族金属元素 第一节p区元素通性 第二节铝 第三节锡、铅 第四节砷、锑、铋