第一节 固相反应动力学方程 第二节 影响固相反应的因素

主要内容： 1、烧结推动力及模型 2、固相烧结和液相烧结过程中的四种基本传质产生的原因、条件、特点和动力学方程。 3、烧结过程中晶粒生长与二次再结晶的控制。 4、影响烧结的因素

要求： 扩散的动力学方程 扩散的热力学方程(爱因斯坦－能斯特方程) 扩散机制和扩散系数 固相中的扩散 影响扩散的因素

合成氨目录 第一节:绪论 第二节:固体燃料气化 第三节:烃类蒸汽转化 第四节:一氧化碳变换 第五节:原料气净化脱硫 第六节:二氧化碳脱除 第七节:原料气的最终净化 第八节:氨的合成

第4章纯碱 4.1概述 4.2氨碱法制纯碱 4.3联合制碱法生产纯碱和氯化铵

第一节 微生物的六种营养要素 • 一、碳源（carbon source） • 二、氮源(nitrogen source) • 三、能源(energy source) • 四、生长因子(growth factor) • 五、无机元素(mineral salts) • 六、水分(moisture) 第二节 微生物的营养类型 第三节 营养物质进入细胞的方式 单纯扩散 (simple diffusion) 促进扩散 (facilitated diffusion) 主动运输 (active transport) 基团移位 (group translocation) 第四节 培养基（media）

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、纳米材料的概述:从分子识别、分子自组装、吸附分子与基底的相互关系、 分子操作与分子器件的构筑,并通过具体的例证加以阐述,包括在STM操作下单分子 反应;有机小分子在半导体表面的自指导生长;多肽半导体表面特异性选择结合;生 物分子/无机纳米组装体;光驱动多组分三维结构组装体;DNA分子机器

一.硼烷(Borane) 1.硼烷的组成

第7章金属羰基和π酸配体化合物 1.d区过渡金属与羰基:CO和类羰 基:PR3(膦),:PX3,:AsR3(),NO,:CNR(异腈) 2.d区过渡金属为低价态(零价或负价) hsA中属于SA