5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

§5-1 概述 §5-2 时序逻辑电路的分析方法 §5-3 若干常用的时序逻辑电路 §5-4 时序逻辑电路的设计方法

9.8.2 方波产生电路 9.8.3 锯齿波产生电路 9.8.1 电压比较器 单门限电压比较器 迟滞比较器 集成电压比较器

一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。 (1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为1000。() (2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,()它只能放大交流信号。()

61模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1电路如图题6.1.1所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行 偏置。设β>1,求电流l的值。若rn(rn)=100k9。试比较该电路与分立元件 电路的优点。设Vc=-vE=10V,v=0.6V

一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。 (1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将 它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为1000。() (2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,()它只能放大 交流信号。()

1 认识 EDA 设计软件.2 2 单管放大电路原理图绘制.7 3 振荡器和积分器原理图绘制.13 4 原理图设计高级操作.19 5 原理图电气规则检查与报表输出.24 6 原理图元器件库的创建.29 7 PCB 电路板设计基础 .33 8 单管放大电路 PCB 设计 .37 9 振荡器与积分器电路 PCB 设计 .40 10 手工绘制双列直插元件封装.47 11 绘制数码管 PCB 元件封装库 .51 12 PCB 报表输出 .55

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管