3.1 齐次定理和叠加定理 一、齐次定理 二、叠加定理 3.2 替代定理 3.3 等效电源定理 一、戴维宁定理 二、诺顿定理 三、等效电源定理应用举例 3.4 最大功率传输条件 3.5 特勒根定理 3.6 互易定理

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

6.4深度负反馈放大电路放大倍数的分析 重点讨论反馈系数和深度负反馈电路放大倍数的估算 6.4.1深度负反馈的实质

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

产生调频信号的电路叫做调频器，对它有四个主要要求： （1）已调波的瞬时频率与调制信号成比例地变化，这是基本要求。 （2）未调制时的载波频率，即已调波的中心频率具有一定的稳定度（视应用场合不同而有不同的要求）。 （3）最大频移与调制频率无关。 （4）无寄生调幅或寄生调幅尽可能小。 实现频率调制的方式有两种：一是直接调频，二是间接调频

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

一、石英晶体的物理特性 1、石英晶体的结构 图1.3.1（a）表示自然结晶 体，图（b）表示晶体的横断。 为了便于研究，人们根据石 英晶体的物理特性，在石英晶体 内画出三种几何对称轴，连接两 个角锥顶点的一根轴Z，称为光 轴；在图（b）中沿对角线的三 条X轴，称为电轴；与电轴相垂 直的三条Y轴，称为机械轴

3.6.1 负阻器件 3.6.2 负阻振荡原理及其电路 3.6.3 用负阻观点讨论 LC 反馈振荡器