§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

15-1导体的导电特性 15-2PN结 15-3导体二极管 15-4稳压管 15-5半导体三极管

一、半导体存储器概念 二、重要指标 三、分类

随着半导体技术的发展在一个半导体芯片上集 成的电子元件数目越来越多,并按集成的电子元件数 目的多少划分为: SSI:10门以下/片,每片含100个元件以下

一、传感器概述 传感器的概念:指能感受规定的物理量,并按照一定规律转换成可用输出信 号的器件或装置。 简单的说,传感器即使把非电量转换成电量的装置。 汽车传感器的工作条件极为恶劣,因此,传感器能否精确可靠地工作至 关重要。在该领域中,理论研究及材料应用发展迅速,半导体和金属膜技术 研究及材料应用技术发展迅速,半导体和金属膜技术、陶瓷烧结技术等得到 迅猛发展

北京大学：《半导体物理学 Physics of Semiconductors》课程教学资源（试题）半导体物理本科生期末考试试卷答案

▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控硅

2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿

学习要点： •熟悉常用ROM的内部结构和使用方法 •熟悉常用RAM的内部结构和使用方法 •掌握存储器容量的扩展方法（字、位） •了解可编程逻辑器件：PLD、PAL、GAL 10.1 半导体存储器 10.1.1 只读存储器（ROM） 10.1.2 随机存储器（RAM） 10.1.3 存储器容量的扩展 10.2 可编程逻辑器件 10.2.1 PLD的电路表示法 10.2.2 可编程阵列逻辑器件PAL 10.2.3 通用阵列逻辑器件GAL