第9章半导体存储器 一、半导体存储器概念 二、重要指标 1.存储量 2.存取速度 三、分类 1.按存取方式分类 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 1 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念 2.存取速度 三、分类 二、重要指标 1.存储量 1.按存取方式分类
第一节只读存储器(ROM) 一、ROM的分类 1.按存储内容写入方式来分 2.按使用器件类型来分 二、ROM的结构 三、R0M的工作原理 四、ROM的逻辑关系 1.属于组合逻辑电路 2阵列图 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 2 第一节 只读存储器（ROM） 2.按使用器件类型来分 一、ROM的分类 1.按存储内容写入方式来分 四、ROM的逻辑关系 二、ROM的结构 三、ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图
五、ROM的应用 1实现组合逻辑函数 2字符发生器 六、固定 ROM ( MROM) 七、可编辑只读存储器(PROM) 八、可改写可编程只读存储器( EPROM (1UVEPROM (2)EZPROM 九、快闪存储器 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 3 五、ROM的应用 六、固定ROM(MROM) 1.实现组合逻辑函数 2.字符发生器 (1) UVEPROM 七、可编辑只读存储器(PROM) 八、可改写可编程只读存储器(EPROM) (2) E2PROM 九、快闪存储器
第二节随机存储器(RAM 、静态RAM( SRAM) 存储容量的扩展 1.位扩展 2字扩展 三、动态RAM(DRAM) 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器 4
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 4 第二节 随机存储器(RAM) 1.位扩展 一、静态RAM(SRAM) 二、存储容量的扩展 2.字扩展 三、动态RAM(DRAM)
第9章半导体存储器 、半导体存储器概念: 、重要指标 1.存储量:字数N×位数M 如1K容量通常指1024×8bit 合 2.存取速度 *高速RAM的存取时间仅10ns左右 三、分类 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器 5
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 5 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念： 2.存取速度 二、重要指标 三、分类 1.存储量：字数 N × 位数 M 如1K容量通常指 1024 × 8 bit *高速RAM的存取时间仅10ns左右
1.按存取方式分类: 只读存储器(ROM) Read Only memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory v 串行存储器(SAM. Sequential Access Memory FIFO型例:前述的单向移位寄存器 FIO型例:前述的双向移位寄存器 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器 6
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 6 1.按存取方式分类： 串行存储器(SAM): Sequential Access Memory 只读存储器(ROM): Read Only Memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory FIFO型 例：前述的单向移位寄存器 FILO型 例：前述的双向移位寄存器
第一节只读存储器(ROM) 一.ROM的分类: 1.按存储内容写入方式来分: 固定ROM(MROM) 合 可编程ROM(PROM) UVEPROM 可擦可编程ROM( EPROM)1 EZPROM FLASH MEMORY 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器 7
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 7 第一节 只读存储器（ROM） 一. ROM的分类： 1.按存储内容写入方式来分： 固定ROM(MROM) 可擦可编程ROM(EPROM) 可编程ROM(PROM） UVEPROM E 2PROM FLASH MEMORY
2.按使用器件类型来分 极管ROM 双极型三极管ROM MOS型三极管ROM 合 二.ROM的结构: 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器 8
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 8 2.按使用器件类型来分 二极管ROM MOS型三极管ROM 双极型三极管ROM 二.ROM的结构 ： 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路
AAA 0 Ww 存储矩阵 1 M×N M-1 K bo b N-1 合 输出电路 DoD1…D N-1 图9.1.1ROM的结构框图 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 9 存储矩阵 M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地 址 译 码 器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 A1 … AK
三.ROM的工作原理 结论:存1,字线W和位线b间接二极管; 合 存0,字线W和位线b间不接二极管 2021年2月23日星期二 第九章半导体存储器
2021年2月23日星期二 第九章 半导体存储器 10 结论：存1，字线W和位线b间接二极管； 存0，字线W和位线b间不接二极管。 三.ROM的工作原理
