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西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十章 高级光刻工艺(ULSI/VLSI IC图形处理过程中存在地问题)

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等。
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