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《高频电路——非线性电子线路》PPT课件:第三章 正弦波振荡器(3.7)寄生振荡、间歇振荡和频率占据

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3.7.1 寄生振荡 3.7.2 间歇振荡 3.7.3 频率占据
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第3章正弦渡振猛器“ 第3章正弦波振荡器 3.7寄生振荡、间歇振荡和频率占据 37.1寄生振荡 3.72间歇振荡 3.73频率占据

第 3 章 正弦波振荡器 3.7 寄生振荡、间歇振荡和频率占据 3.7.1 寄生振荡 3.7.2 间歇振荡 3.7.3 频率占据

第3章正弦波振器 寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路 现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生 的原因和预防措施。 3.7.1寄生振荡 、产生原因 电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路 产生自激振荡。 二、抑制措施 破坏寄生振荡回路的振荡条件

寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路 现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生 的原因和预防措施。 3.7.1 寄生振荡 一、产生原因 电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路, 产生自激振荡。 二、抑制措施 破坏寄生振荡回路的振荡条件

第3章正弦渡振猛器 ①低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或 旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是: 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量,高频 扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 ②超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感, 极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是 粗短的引线,贴片元件,基极,集电极串小无感电阻, 隔直、旁路电容上并小电容。 ③电源加去耦电路

① 低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或 旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是: 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量,高频 扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 ② 超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感, 极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是: 粗短的引线,贴片元件,基极,集电极串小无感电阻, 隔直、旁路电容上并小电容。 ③ 电源加去耦电路

今第3章正弦渡振器“ 3.72间歇振荡 振荡→停振→振荡…,这样现象称为间歇振荡。 、产生原因 当输入端作用着振荡电+ 压v1时,晶体管经历了导通和 R BB 截止两个过程,导通时,发"( R E E 射极电流向CE充电;截止时, C向放电,充电电阻远小 于。 图3-7-1偏置电路

3.7.2 间歇振荡 振荡 → 停振 → 振荡  ,这样现象称为间歇振荡。 一、产生原因 当输入端作用着振荡电 压vi 时,晶体管经历了导通和 截止两个过程,导通时,发 射极电流向CE 充电;截止时, CE 向RE 放电,充电电阻远小 于RE

今第3章正弦波振猛器 如果CBC取值过大,电容充电快,放电慢。振荡器起 振后,振幅增大,偏置电压向负值方向增大,使振幅减小, 直到停振。停振后,偏置电压向正值方向增大,达到一定 数值后,振荡器右开始起振。振荡波形如图。 「 图3-7-2间歇振荡波形 二、预防措施 Cg,CE取值不宜过大,可增大Q值

如果 CB, CE 取值过大,电容充电快,放电慢。振荡器起 振后,振幅增大,偏置电压向负值方向增大,使振幅减小, 直到停振。停振后,偏置电压向正值方向增大,达到一定 数值后,振荡器右开始起振。振荡波形如图。 二、预防措施 CB ,CE 取值不宜过大,可增大 Q 值

今第3章正弦渡振器 3.73频率占据 频率占据是当外部有一频率为∫的信号加入到振荡回 路时,满足一定条件,会使振荡频率∫。向∫靠近或等于f 称为频率占据。 R C m C C 图3-7-3接入外加信号的电容三点 式振荡器电路(a)及其交流通路(b) Osc 当∫接近f时,振荡器的振荡频率受到f的牵引

3.7.3 频率占据 频率占据是当外部有一频率为 fs 的信号加入到振荡回 路时,满足一定条件,会使振荡频率 fosc向 fs靠近或等于 fs, 称为频率占据。 fosc = fo 当 fs接近 fosc时,振荡器的振荡频率受到 fs的牵引

第3章正弦渡振猛器 F=(lfs-foscI) f、-f 图3-7-4频率牵引特性 ①f-6△,v对无影响 ②4<f-f6<42和4-后44,f向f靠近。 ③42≤f-后<丛3,f=f

① fs - f0 f4,vs 对 fosc无影响。 ② f1 < fs - f0 < f2 和 f3 < fs - f0 < f4 , ,fosc向 fs靠近。 ③ f2 < fs - f0 < f3,fosc = fs

第3章正弦渡振猛器“ 由电路图3-7-4(b)可知: AF=(f、-fo|) 加入v后, Vi=V+ 设∫>f f、-fo 吃超前于的相角p12O 图3-7-4频率牵引特性 将以(a-a)的相对角速度逆时针旋转→v跟着旋转

由电路图 3-7-4(b)可知: 加入 vs后, V i  V f  V s  , 设 fs > f0。 V s 超前于 V f 的相角 将以(s - 0)的相对角速度逆时针旋转 → vi 跟着旋转 → gmvi → vo → vf

第3章正弦渡振猛器 只要的转速不太大(a靠近a),经过一段时间,一样 的角速度(a-an)逆时针转动。各矢量相对位置固定下来, 振荡器重新进入平衡状态,振荡频率为f。4g 根据矢量图 tan= Vs sin sin ol V+vs cos o f 1+s cos 假设vf0时 生频率占据的矢量图 P =arctan 2Q Ifs -fol 20 ∫-f f0 fn

只要的转速不太大(s 靠近 0),经过一段时间,一样 的角速度(s - 0)逆时针转动。各矢量相对位置固定下来, 振荡器重新进入平衡状态,振荡频率为 fs。 根据矢量图 1 cos| | sin | | cos| | sin | | tan | | f s f s f s s z      V V V V V V V     假设 Vs << Vf, | | sin | | f s  z  V V  0 s 0 e 0 s 0 z e | | 2 | | | | arctan2 f f f Q f f f Q -  -  

第3章正弦渡振猛器 当Q。、V、一定时,sinq|的最大值对应|后-f 的最大值。 所以占据频带为 4f=2|f、-f6 、f0 预防措施: 根据具体情况,切断或削弱振荡器与外来信号的耦合。 但在某些情况下,外加信号是特意加入的,实现注入同 步

当 Qe、Vs、Vf 一定时,sin|| 的最大值对应| fs - f0 | 的最大值。 所以占据频带为 e f s 0 s 0 max 2 | | Q V V f f  f - f  预防措施: 根据具体情况,切断或削弱振荡器与外来信号的耦合。 但在某些情况下,外加信号是特意加入的,实现注入同 步

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