一、微型机存储系统的概念和体系结构 二、存储器的分类及其特点 三、半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接 四、存储器管理技术 五、高速缓存的一般概念

第一章 半导体器件 第二章 放大电路的基本原理 第三章 放大电路的频率响应 第四章 集成运算放大电路 第五章 放大电路中的反馈 第六章 模拟信号运算电路 第七章 信号处理电路 第八章 波形发生电路 第九章 功率放大电路 第一章 逻辑代数基础 第二章 门电路 第三章 组合逻辑电路 第四章 触发器 第五章 时序逻辑电路 第六章 脉冲产生、整形电路 第七章 数模、模数转换电路

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

§2.1 传感器分类 §2.2 电阻式 §2.3 电感式 §2.4 电容式 §2.5 磁电式 §2.6 压电式 §2.7 光电式 §2.8 热电式 §2.9 半导体式 §2.10 选用原则

1.1 实验目的 （1）掌握线性的电阻元件、非线性电阻元件（以半导体二极管为实例）伏安特性的测试方法。 （2）研究实际独立电源的外特性

1.1 实验目的 （1）掌握半导体二极管伏安特性的测试方法。 （2）学习电压表、电流表以及稳压源的使用方法

1. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？

1.试分析下列问题: (1)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化?共射极放大电路 (2)增大R时,负载线将如何变化?Q点怎样变化? (3)减小V时,负载线将

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用