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《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第六章 工艺良品率
文档格式:PPT 文档大小:220KB 文档页数:5
高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货
华东理工大学:《发酵工程 Fermentation Engineering》课程教学资源(电子讲义)第四讲 理论创新、课程建设和教学相长(繁体字)
文档格式:DOC 文档大小:54KB 文档页数:7
首次發表的“微生物生物機器”的創新思路及其理論基礎’爲發酵工程生物學理論和 發酵原理課程的創建提供了框架結構σ發酵工程脫胎於仳學工程·並且因與生物學的融合而走 向成熟。發酵原理課程是學術民主的產物·還要靠學衠民主來建設
《液压传动》课程电子教学讲义:第二章 液压泵及液压马达
文档格式:PDF 文档大小:935.19KB 文档页数:19
本章重点: 1.容积式液压泵及容积式液压马达的工作原理 2.液压泵及液压马达的压力、排量、流量、功率、效率的概念及计算 3.液压马达的压力、排量、流量、功率、效率的概念及计算 4.齿轮泵、叶片泵和柱塞泵的工作原理、结构特点、配流方式及选用
河南师范大学:《无机化学》课程教学课件(PPT讲稿)第二十四章 周环反应 Pericyclic reaction
文档格式:PPT 文档大小:1.38MB 文档页数:73
第一节 周环反应和分子轨道对称守恒原理 一 周环反应 二 分子轨道对称守恒原理 三 前线轨道理论的概念和中心思想 四 直链共轭多烯π分子轨道的一些特点 第二节 电环化反应(Electrocyclic Reaction) 第三节 环加成反应(Cycloaddition Reactions) 第四节 σ-迁移反应
《结构化学》课程电子教案(PPT教学课件讲稿,共十章)
文档格式:PPT 文档大小:2.26MB 文档页数:87
绪论 第一章 量子力学基础知识 第二章 原子的结构和性质 第三章 共价键和双原子分子的结构和性质 第四章 分子的对称性 第五章 多原子分子的结构和性质 第六章 配位化合物的结构和性质 第七章 次级键及超分子的结构化学 第八章 晶体的点阵结构和晶体的性质 第九章 金属的结构和性质 第十章 离子化合物的结构化学
《GPS原理与应用》课程教学资源:试卷(一)
文档格式:DOC 文档大小:26KB 文档页数:2
试卷(一) 一、单项选择题(10分) (1)GPS卫星星座配置有()颗在轨卫星。 (a)21(b)12(c)18(d)24 (2)SA政策是指() (a)精密定位服务(b)标准定位服务 (c)选择可用性(d)反电子欺骗 (3)UTC表示()。 (a)协议天球坐标系(b)协议地球坐标系 (c)协调世界时(d)国际原子时
云南财经大学:《会计学》课程教学资源(电子教案)
文档格式:DOC 文档大小:428KB 文档页数:87
了解会计发展的三个基本历史阶段,会计的定义,会计基本 假设,会计目标,会计职能,会计要素,会计基本程序与方法以及会计核算的一般 原则。掌握会计的定义,四项会计基本假设,会计目标,会计职能,会计核算的四 个基本程序与八种方法以及会计核算的一般原则
喷射成形原位反应TiC/Al-Fe-V-Si复合材料的显微组织
文档格式:PDF 文档大小:888.61KB 文档页数:4
使用X射线衍射(XRD)、光镜(OM)、电子扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等对在Al-8.5Fe-1.4V-1.7Si合金中原位反应生成TiC的喷射沉积坯件的显微组织进行了分析和研究.结果表明,原位反应生成的TiC颗粒在喷射沉积过程中抑制了针状相的形成,改善了合金的显微组织,生成的TiC颗粒均匀地分布在合金基体中
西安科技大学:《有机化学》课程电子教案(PPT教学课件)第十五章 硝基化合物及胺
文档格式:PPT 文档大小:804.5KB 文档页数:46
1.握硝基化合物及胺的分类、命名法和结构。 2.掌握胺的化学性质:碱性(结构和溶剂化效应),胺的鉴别,季铵盐的性质及霍夫曼规则。 3.掌握硝基化合物的性质。 4.理解三种分子重排反应的实例。 5. 了解腈和异腈的性质。 6.了解硝基化合物的性质、制法以及重要代表物。 7.了解硝基化合物及胺的制法。 8.了解相转移原理作为有机合成新方法的原因。 9. 了解表面活性剂
硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用
文档格式:PDF 文档大小:434KB 文档页数:5
氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上
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