一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

1.1 电子计算机的发展概述 1.2 单片机的发展过程及产品近况 1.3 单片机的特点及应用领域

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

6.1 线性相位FIR滤波器的特点 6.2 用窗函数法设计FIR滤波器 6.3 用频率采样法设计FIR滤波器 6.4 等波纹线性相位滤波器 6.5 FIR滤波器和IIR滤波器的比较 6.6 数字滤波器的应用