应用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDX)对CSP工艺含钛耐候钢中的细小磷化物进行了研究.对成品钢板和经900℃压缩20%并等温30min的连铸坯分析结果表明:耐候钢中存在MxP型纳米级磷化物,x值为2～3,金属元素M为Fe、Ti及少量Cr或Ni,磷化物的结构为六方晶系,点阵常数a=0.609nm、c=0.351nm;成品钢板中磷化物尺寸多在20nm以下,而经过900℃压缩的连铸坯试样中磷化物的尺寸、形状不尽相同,较大的棒状磷化物长约300nm、宽约50nm,其他粒子在50nm以下,多呈方形.CSP工艺生产线中可能发生磷化物沉淀的阶段是热连轧的最后两个道次直至冷却到400～500℃的过程中;磷化物的析出可提高沉淀强化效果,但同时会使钢中的固溶磷浓度降低

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好

采用有限元方法对非淹没缝隙射流冲击区单相对流换热进行数值模拟.结合辊式淬火冷却的特点,分析了缝隙射流冲击区对流换热的影响因素如射流速度、射流出口距冲击板的距离(高度)、喷嘴宽度、射流出口速度方向与冲击板之间的夹角、水温等.结果表明:在淬火100 mm厚钢板时,经济实用的工艺参数为射流速度40~45 m·s-1,射流出口距冲击板的距离(高度)20 mm,喷嘴宽度2 mm,射流出口速度方向与冲击板之间夹角45°,水温10~35℃

根据300t钢包RH真空处理超低碳铝镇静钢的实验数据,建立了RH处理过程钢中总氧含量的预测模型,得到了钢中氧含量的预测公式.模型综合考虑了处理时间、真空室吹氩流量、钢水环流量、浸渍管直径和钢包渣中(FeO+MnO)含量等因素对总氧含量的影响,并对改进RH处理工艺进行了讨论.模型分析表明,促进夹杂物上浮的手段有增大吹氩流量、增加浸渍管直径,但都有一个合适的范围

• 4.1 概述 • 4.2 物料衡算的基本理论 • 4.3 物料衡算举例 • 4.3.1 物理过程的物料衡算 • 4.3.2 化学过程的物料衡算 • 1.反应转化率、选择性及收率 • （1）限制反应物 • （2）过量反应物 • （3）过量百分数 • （4）转化率x • （5）选择性

7.1 PLD 概述 7.1.1 PLD 的电路结构及分类 7.1.2 PLD 的编程工艺及描述的逻辑规则和符号 7.1.3 PLD 的设计过程及主要优点 7.2 只读存储器 7.2.1 ROM 的内部结构 7.2.2 用ROM 实现组合逻辑设计 7.2.3 常用的LSI ROM器件 7.3 可编程逻辑阵列 7.4 可编程阵列逻辑 7.4.1 组合PAL器件 7.4.2 时序PAL器件 7.5 通用逻辑阵列概述 7.5.1 GAL器件的主要特点 7.5.2 GAL器件的基本机构 7.5.3 GAL器件的命名及分类 7.6 硬件描述语言

以安钢宽板坯连铸为研究对象,采用大型商业软件ANSYSCFX10.0,应用VOF法重点研究浸入式水口倾角、拉速、铸坯断面宽度等工艺参数对结晶器内自由表面液面波动的影响.结果表明:随着结晶器宽度从1800mm增大到3250mm,结晶器内液面平均波高明显降低.当宽度为1800mm时,结晶器保护渣-钢液界面平均波高为5.33mm;当宽度增至3250mm时,平均波高为7.08mm

讨论了转炉溅渣护炉过程中各参数的影响,试验以修正的弗鲁德数(Fr)作为相似基础。实验室采用石蜡加淀粉对30t转炉进行了模拟研究,通过对试验数据的处理和分析,得到了最佳的工艺参数:氮气流量约为8500m3/h,溅渣时间为3min,枪位为0.8m;向渣中加入氧化镁或碳粒以调整成分是必要的;炉渣温度过高,流动性过好,溅起的炉渣难以凝结在炉衬中

研究了固溶淬火条件下Ni/Fe比（质量分数）对W-Ni-Fe高密度钨合金力学性能的影响规律．拉伸测试表明．同溶淬火条件下W-Ni-Fe合金的最佳Ni-Fe比发生偏移，随Ni/Fe比增加，钨合金的强度和韧性同步提高，当镍铁比达到9/1时强度和韧性都达到最大值，其后合金的强韧性随Ni-Fe比增加而同步降低．通过X射线和TEM分析发现，缓冷条件下W-Ni-Fe合金中有脆性β相析出，固溶淬火工艺能有效抑制β相析出．

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．