概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

聚合物材料在拉力作用下的应力-应变测试是一种广泛使用的最基础的力学试 验。聚合物的应力-应变曲线提供力学行为的许多重要线索及表征参数（杨氏模量、 屈服应力、屈服伸长率、破坏应力、极限伸长率、断裂能等）以评价材料抵抗载荷， 抵抗变形和吸收能量的性质优劣；从宽广的试验温度和试验速度范围内测得的应力 -应变曲线有助于判断聚合物材料的强弱、软硬、韧脆和粗略估算聚合物所处的状况 与拉伸取向、结晶过程，并为设计和应用部门选用最佳材料提供科学依据

对于在高温环境服役的金属材料，晶界作为组织结构上的薄弱环节常常引发晶界裂纹而造成合金失效，严重影响了材料的高温力学性能表现。因而，如何改善晶界状态、提高晶界强度，是提高合金高温性能的关键。在铁/镍基奥氏体多晶合金中，采用晶界弯曲的方法强化晶界、改善合金性能一直受到国内外研究人员的广泛关注。从弯曲晶界的获得方法、形成机制及其对材料性能的影响3个方面概述了目前国内外的研究现状。较为全面地总结了特殊热处理与材料合金化等获得弯曲晶界的方法；讨论了不同合金中晶界第二相诱发晶界弯曲的驱动力和内在机理；介绍了弯曲晶界对材料力学性能、耐蚀性能及焊接性能的影响。最后，结合当前的研究现状，围绕弯曲晶界的形成条件和机制，以及弯曲晶界对性能的影响，提出了弯曲晶界未来的研究发展方向

一. Low-k 材料概述 二. 正电子技术用于研究low-k材料

一、材料的磁性概述 二、材料的抗磁性与顺磁性理论 三、材料的铁磁性理论 四、材料的磁弹性能 五、动态磁化特征

第一章 砂石材料 第二章 石灰和水泥 第三章 水泥混凝土 第四章 土的工程性质 第五章 无机结合料稳定材料 第六章 沥青材料 第七章 沥青混合料 第八章 聚合物材料的应用 第九章 建筑钢材和木材

第一节材料的形变 第二节材料的塑性、蠕变与粘弹性 第三节材料的断裂与机械强度 第四节材料的量子力学基础

第十六章功能高分子材料 一、功能高分子材料及其分类 二、功能高分子材料的应用 三、功能高分子材料的发展概况 实验三十四高吸水性树脂的制备 实验三十五光致变色聚合物的制备

1.1 材料的基本物理性质 1.2 材料的力学性质 1.3 材料的装饰性和耐久性

各章复习要点 第1章材料的结构与性能 第2章金属材料组织和性能的控制 第3章金属材料 第5章材料的选用