吸附法功能与特点 吸附法基本原理 吸附剂及其再生 吸附工艺与设计 吸附法废水处理应用

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2. 4 晶体三极管的伏安特性曲线 2. 5 晶体三极管的小信号电路模型 2. 6 晶体三极管电路分析方法 2. 7 晶体三极管的应用原理 2. 8 集成工艺

一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

观察了实验条件对恒电流密度下二次阳极处理电解沉积MoS2对应的电压时间关系曲线和膜颜色的影响。电子探针分析表明,沉积的固体润滑剂在整个孔的深度范围存在,但接近孔口的膜外表面下含量较高。透射电镜观察发现二次阳极处理过程实质上为二次阳极氧化过程,膜的阻挡层增厚,其厚度与电压的比值在1.0～1.4nm/V范围。原多孔膜底部未发生对应高电压的大孔的起源和发展。沉积MoS2的工艺使膜的硬度有所下降。膜的摩擦系数降低,耐磨性提高

利用激光焊接工艺焊接核级不锈钢,通过改变激光焊接速度得到不同的焊接接头.采用金相显微镜、扫描电子显微镜等手段研究了熔深比、δ/γ比、组织形貌以及焊缝中各相的成分.通过显微硬度测试了焊缝接头上硬度分布.随着焊接速度的增加,焊缝熔深比线性增加,焊缝中δ-铁素体含量增加,岛状组织增多,板条状组织增多,蠕虫状组织减少,焊缝区的平均硬度值增加

采用优化后的临界区再加热-淬火中温等温(T1、T2)热处理工艺,对具有不同前躯体组织的(0.22/0.17)C-(1.91/1.85)Mn-(1.32/0.94)Si两类热轧6 mm钢板分别进行处理,获得了具有铁素体、贝氏体、马氏体以及弥散分布于原奥氏体晶界、相界等处的残余奥氏体所构成的多相组织.利用扫描电镜、X射线衍射以及电子背散射衍射分析技术等对不同热处理阶段钢的微观组织进行了表征.结果证实,采用不同的前躯体组织设计可以很好地调控临界区再加热逆转变奥氏体的组织形貌、比例以及碳含量,进而通过后续处理来实现对钢中多相组织的调控.前躯体为马氏体的0.22C钢,经T1工艺后获得了以针状铁素体为基体的多相组织,其强塑积超过了30 GPa·%;前躯体为铁素体+马氏体的0.17C钢经T2工艺后获得了以块状铁素体为基体的多相组织,其强塑积超过了27 GPa·%

采用逐步熔融凝固法制备了WC-65Mn复合材料,用扫描电子显微镜观察试样的微观形貌和组织结构,并用IMAGETOOL软件分析不同试样的扫描图像,定量测定增强相WC颗粒的分布状况,同时测量材料的抗弯强度和硬度.研究证明电源功率和模具下降速率对增强相WC颗粒的分布状况和力学性能有重要的影响.电源功率应在5.5~7.5kW之间,模具下降速度为8~10mm/min

采用线性极化电阻技术和交流阻抗技术研究了锅炉水冷管材在过氧化氢溶液钝化条件下的电化学特征,结合SEM电子扫描技术对不同钝化条件下的钝化膜成膜形貌进行观察测量.实验结果表明,在柠檬酸漂洗后采用过氧化氢钝化的过程中,当过氧化氢的质量分数为0.1%,溶液pH为9.5,亚铁离子的质量浓度为100 mg·L-1且氯离子的质量浓度低于50 mg·L-1时钝化效果最好,钝化膜成膜形貌较为完整,管材抵抗外界腐蚀的能力最强

一、选 择合适答 案填入空 内 。 （ 1） 集 成运放电 路采用直 接耦合方 式是因为 。 A．可获 得很大的 放大倍数 B. 可 使温漂小 C． 集 成 工艺难于 制造大容 量电容