1. 电火花加工的基本概念 2. 电火花加工的特点 3. 电火花加工的分类 4. 电火花加工的基本原理 电火花线切割

(1)理解工艺流程(图)的概念 (2)掌握工艺流程设计的方法 (3)熟练掌握工艺流程图的表示、绘制和阅读

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

(1)了解工艺专业和非工艺专业的职责范围 (2)知道公用工程和工程概算的基本内容

电子束脱硫技术应用及分析 1前言 2电子束脱硫工艺原理 3电子束脱硫工艺流程 4电子束脱硫工艺特点 5EBA示范项目技术经济指标 6运行状况与应用分析

4．1 工艺流程设计及工艺流程图 4.2 设备布置设计及设备布置图

2.4.1零件结构的工艺性 2.4.2 零件结构的铸造工艺性

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

4.1 导线的加工方法 4.2 扎线的制作 4.3 元器件装配前的加工