1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体二极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

6.1 晶体中电子的运动特征 一. Bloch 电子的准经典描述 二. 波包与电子速度 三. 电子的准动量 四. 电子的加速度和有效质量 6.2 在恒定电场作用下电子的运动 一.在 k 空间中的运动图象 二.在实空间中的运动图象 6.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 一.满带电子不导电 二.未满带电子导电 三.近满带和空穴导电 四.导体、绝缘体和半导体

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第一讲绪论 第二讲半导体基础知识 第三讲半导体二极管 第四讲晶体三极管 第五讲共射放大电路的工作原理 第六讲放大电路的分析方法 第七讲静态工作点的稳定 第八讲晶体管放大电路的三种接法 第九讲场效应管及其放大电路 第十讲多级放大电路

第五章半导体存储器接口技术 一、存储器地位 二、主存(内存) 1、当前计算机正执行的程序和数据均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 2、计算机系统与外设数据传送速度加快,引入了直接存储器存取和IO通道技术,在外设与存储器间直接传送。 3、共享存储器多处理机的出现,利用存储器共享数据,并实现处理机间的通信。 三、辅存(外存) 四、存放主存的副本和当前不在运行的程序和数据

一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度