第一章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导 (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。() (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道M0S管的ls大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)×(5)√(6) 选择正确答案填入空内 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 (3)稳压管的稳压区是其工作在 A.正向导通B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (5)s=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A.结型管B.增强型M0S管C.耗尽型MS管 解:(1)A(2)C(3)C(4)B (5)AC 、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压l=0.7V。 D U U
第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （ 1） 在 N 型半 导 体中 如 果掺 入 足够 量 的三 价 元素 ， 可将 其 改型 为 P 型半 导 体。（ ） （2）因为 N 型半导 体 的多 子 是自 由 电子 ， 所 以它 带 负电 。（ ） （3）PN 结在无光 照、 无 外加 电 压时 ， 结电 流 为零 。（ ） （4）处于放大状 态的 晶 体管 ， 集电 极 电流 是 多 子漂 移 运动 形 成的 。（ ） （ 5） 结型 场 效 应 管外 加 的 栅-源 电 压 应使 栅 -源 间 的 耗 尽层 承 受 反 向 电压 ， 才能保证其 RG S 大的特 点。（ ） （ 6）若 耗尽 型 N 沟 道 M OS 管 的 UG S 大 于 零，则其 输 入电 阻 会 明显 变 小。（ ） 解 ：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向 电压 时 ，空 间 电荷 区 将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端 电 压 为 U，则 二 极管 的 电流 方 程是 。 A. IS e U B. U UT I eS C. (e 1) IS U UT－ （3）稳压管的稳压 区 是其 工 作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作 在 放大 区 时， 发 射结 电 压 和集 电 结电 压 应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UG S＝0V 时，能 够 工作 在 恒流 区 的场 效 应管 有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 解 ：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图 T1.3 所 示 各电 路 的输 出 电压 值 ， 设二 极 管导 通 电压 UD＝ 0.7 V
解:l61≈1.3V,l2=0, 1.3V,4≈2V,l5≈1.3V 四、已知稳压管的稳压值l=6V,稳定电流的最小值Izn;=5mA。求图T1.4 所示电路中l1和l2各为多少伏 500g2 2kQ R1 R 2 ks 2 kQ 图T1.4 解:1=6V,l2=5V 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率Pw= 200mW,试画出它的过损耗区 图T1.5 解图T1.5 解:根据Pv=200mW可得:l=40V时l=5mA,l=30V时l≈6.67mA lE=20V时I=10mA,le=10V时I=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损
图 T1.3 解 ： UO 1≈1.3V，UO 2＝0，UO 3 ≈－ 1.3 V， UO 4≈ 2V，UO 5 ≈1. 3V， UO 6≈－2V。 四、 已 知稳 压 管的 稳 压 值 UZ ＝6V， 稳定 电 流的 最 小值 IZmin＝ 5mA。求图 T1 .4 所示电路中 UO 1 和 UO 2 各为 多 少伏 。 图 T1.4 解 ： UO 1＝6V，UO 2＝5V。 五、某 晶 体管 的 输出 特 性曲 线 如图 T1. 5 所示 ，其集 电 极 最大 耗 散功 率 PC M ＝ 200mW，试画出它 的过 损 耗区 。 图 T1.5 解 图 T1.5 解： 根据 PC M ＝20 0m W 可得：UC E ＝40 V 时 IC ＝5m A， UC E＝ 30V 时 IC≈ 6.6 7mA， UC E＝2 0V 时 IC＝ 10m A， UC E＝ 10 V 时 IC ＝2 0mA， 将各 点 连接 成 曲线 ， 即为 临 界过 损
耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区 六、电路如图T1.6所示,Vc=15V,B=100,lE=0.7V。试问: 1)R=50k9时,=? (2)若T临界饱和,则R≈? 9+Vcc 解:(1)R=50kΩ时,基极电流、集 5kQ 电极电流和管压降分别为 26μA Rb Ic=BlB=2.6mA UcE =VcC -IcRc=2V 所以输出电压l=LcE=2V。 (2)设临界饱和时lEs=l=0.7V,所以 Ic=--Es=2.86mA R 286A Rb VBB-UBE ≈454kQ2 七.测得某放大电路中三个M0S管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们 的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区), 并填入表内 表T1.7 管号Ln(灬a川工作状态 4 T 解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型M0S管。根据表中所 示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示 解表T1.7 管号lnM/l川b/工作状态 恒流区 3 截止区 Ts 6 5可变电阻区
耗线，如解图 T1. 5 所 示 。临 界 过损 耗 线的 左 边 为过 损 耗区 。 六、电路如图 T1.6 所 示， VC C＝ 15V， β＝ 10 0， UB E＝ 0.7 V。 试 问： （1）Rb＝50kΩ时， uO＝ ？ （2）若 T 临界饱和 ， 则 Rb ≈ ？ 解：（1）R b＝ 50 kΩ 时 ， 基极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为 26 b BB BE B = − = R V U I μA 2V 2.6mA CE CC C C C B = − = = = U V I R I I 所以输出电压 UO＝ UC E＝ 2V。 图 T1.6 （2）设临界饱和 时 UCES ＝UB E ＝0 .7V， 所以 − = = = = − = 45.4k 28.6 A 2.86mA B BB BE b C B c CC CES C I V U R I I R V U I 七 ． 测得 某 放大 电 路中 三 个 M OS 管 的三 个 电极 的 电位 如 表 T 1. 7 所 示 ，它 们 的开 启 电 压也 在 表中 。 试 分析 各 管的 工 作 状态 (截 止 区 、恒 流 区、 可 变 电阻 区）， 并填入表内。 表 T 1 . 7 管 号 U G S （ t h ） /V U S / V U G / V U D / V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 解 ：因为三 只管 子 均有 开 启电 压，所 以它 们 均为 增 强 型 MO S 管 。根 据 表中 所 示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表 T 1. 7 所示。 解 表 T 1 . 7 管 号 U G S （ t h ） /V U S / V U G / V U D / V 工作状态 T1 4 －5 1 3 恒流区 T2 －4 3 3 10 截止区 T3 －4 6 0 5 可变电阻区