一、歐爆定律的两种表示 1.欧姆定律的微分形式 实验指出,当金属导体中存在电场时,导体中便出现电流。当导体中的电场恒定时,形成的电流也是恒定的,一旦撤 除电场,电流亦随之停止。进一步的实验指出:当保持金属的温度恒定时,金属中的电流密度j与该处的电场强度E成正比, 比例系数称为金属的电导率

§7-1 电荷 库仑定律 §7-2 电场 电场强度 §7-3 高斯定理及应用 §7.4 静电场的环路定理 电势 §7.5 等势面 电势梯度

磁场、电场均是矢量场,但磁场与电场性质不同。在电学中有场方程:

一、静电场的环路定理 已知电荷分布,利用电场叠加原理、高斯定理可计算电场分布,但因E为矢量, 不够方便,可引入另一物理量—电势来研究问题方便

§1 库仑定律 §2 电场 电场强度

§0-1 标量场的梯度， 算符 Gradient of Scalar Field, Operator §0-2 矢量场的散度 高斯定理 Divergence of Vector Field, Gauss’s Theorem §0-3 矢量场的旋度斯托克斯定理 Rotation of Vector Field, Stoke’s Theorem §0-4 正交曲线坐标系中 运算的表达式 Expression of Operation on Orthogonal Curvilinear Co-Ordinates System §0-5 二阶微分算符 格林定理 Second-order Differentiation Operator, Green’s Theorem

5.1 周期场中单电子状态的一般特征 一.Bloch 定理 二.关于 k 取值和意义的几点讨论 三. Bloch函数的性质 5.2 一维周期场中电子运动的近自由电子近似 一. 何谓近自由电子近似 二. 定性描述 三. 微扰计算

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构 二、晶体三极管的放大作用 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第四节 射极输出器 一、射极输出器的工作状态 二、射极输出器的应用 第五节 场效应管及其放大电路 一、绝缘栅型场效应管 二、绝缘栅场效应管的主要参数 三、场效应管基本放大电路