2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

2.1电阻的串联和并联 2.2电阻的星形连接与三角形连接的等效变换 2.3两种实际电源模型的等效变换 2.4支路电流法 2.5网孔法 2.6节点电压法 2.7叠加定理 2.8戴维南定理 2.9含受控源电路的分析

一、模拟的应用 1、工程设计 2、虚拟环境 3、模型验证 二、课程原理 三、问题实例 1、集成电路的功率分配 2、空间结构的受力关系 3、插件的温度分布

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

• 深度负反馈的特点 • 各种反馈组态的近似计算 7.4.1 深度负反馈条件下的近似计算 • 举例 *7.4.2 小信号模型分析法 （不做要求，自看）

1. 电阻和电源的串、并联 2. 电源的等效变换 3. 输入电阻的计算 2.2 电路的等效变换 2. 5 理想电压源和理想电流源的串并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2. 4 电阻的星形联接与三角形联接的等效变换(Y—△变换) 2.7 输入电阻 2.1 引言 2.3 电阻的串联和并联

2.1 单口电阻网络中电阻的串联、并联和混联 2.2 实际电源的两种电路模型及其等效变换 2.3 含源单口网络的等效化简 2.4 电源转移法 2.5 T-π变换

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

1.7.1 电压源 1.7.2 电流源 1.7.3 实际电源两种模型的等效变换 1.7.4 电路的短路和开路