◼ 第一节 用硅对碳进行等电排置换设计更加安全的化学品 ◼ 第二节 设计可生物降解的化学品 ◼ 第三节 设计对水生生物更安全的化学品 ◼ 参考文献

一、形态结构(1) 1体制:黄藻植物体有单细胞,群体,多细胞丝状体和多核管状体。 2细胞壁:黄藻类的细胞壁主要成份是果胶化合物,有的种类含有少量的硅质和。纤维质,少数种类细胞壁含有大量的纤维素。单细胞或群体的细胞壁,多数由∪形的节片套合而成,丝状体或管状的细胞壁,由H形的二节片套合而成,个别种类细胞壁无节片构造

1、讨论锂、硼、硅及过渡元素的有机化合物。 2、结合前面已学过的有关镁、磷、硫等元素有机化合物的知识，使我们对元素有机化学有一个初步的认识

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

1范围 本方法最低检出浓度为0.4mg/L,测定上限为25mg/L二氧化硅。 测定最适宜浓度范围为0.4~20mg/L适用于天然水样分析,也可用于一般环境水样分析。 色度及浊度干扰测定,可以采用补偿法(不加钼酸铵的水样为参比予以消除

1范围 本法最小检出浓度为40ig/L二氧化硅,检出上限2mg/L二氧化硅。 色度及浊度干扰测定,可以采用补偿法(不加钼酸铵的水样为参比予以消除。 丹宁,大量的铁、硫化物和磷酸盐干扰测定,加入草酸能破坏磷钼酸,消除其干扰并降 低丹宁的干扰。在测定条件下,加入草酸(3mg/mL),样品中含铁20mg/L;硫化物10mg/L 磷酸盐0.8mg/L;丹宁酸30mg/L以下时,不干扰测定

3.9.1 酸碱标准溶液的配制与标定（自学） 3.9.2 酸碱滴定法的应用实例 混合碱的测定（双指示剂法） 混合碱的测定（BaCl2 法） 纯碱的测定 未知成分混合碱的测定 混合酸的测定 氮含量的测定 磷的测定（自学） 硅的测定 (自学 ）

在工业用钢中除铁、碳之外，还含有其它元素。分 常存元素；偶存元素；隐存元素和合金元素。常存 元素有锰、硅、硫、磷。偶存元素是由于矿石产地 不同（有与铁共存的共生矿混入）及以废钢为原料， 在冶炼及工艺操作时带入钢中，如铜、钛、钒、稀 土元素等。隐存元素是指原子半径较小的非金属元 素，如氧、氢等。合金元素是指为改变成分特别添 加的元素，如铬、镍、钨、钼、钒等

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质