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集成电阻器 集成电容器 集成电路中的互连线

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

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一、填空 1气体吸收计算中,表示设备(填料)效能高低的一个量是传质单元高度,而表示传 质任务难易程度的一个量是传质单元数。 2在传质理论中有代表性的三个模型分别为双膜理论溶质渗透理论表面更新 理论 3如果板式塔设计不合理或操作不当,可能产生严重漏液严重泡沫夹带及液泛 等不正常现象,使塔无法工作

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺