第一节 轧 制 第二节 锻 造 第三节 板材冲压 第四节 挤 压 第五节 拉 拔

3.3.1 自由锻工艺设计 3.3.2 锤模锻工艺设计 3.3.3 冲压工艺设计（自学）

本篇主要介绍了液态成形工艺方法的基本原理、各种液态成形工艺方法和 零件的结构工艺性和铸造工艺设计。学完本篇要求学生了解并掌握液态成形工 艺方法的基本原理、各种液态成形工艺方法和零件的结构工艺性和铸造工艺设 重点:重点为铸造工艺基础、铸造生产方法、铸件的结构及工艺设计

本篇主要介绍了焊接成形工艺基础、各种常用焊接生产方法、常用焊接材 料、焊接结构设计及先进工艺方法。学完本篇要求学生了解并掌握焊接成形工 艺基础、各种常用焊接生产方法、常用焊接材料、焊接结构设计及先进工艺方法

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

对钢铁厂含锌铅粉尘配碳球团直接还原工艺进行了研究.结果表明：生球碱度及还原时间对球团中铅挥发率和铁的金属化率有显著影响，而还原温度则对球团中锌、铅挥发率和铁的金属化率均有显著影响.在此基础上确定的最佳工艺参数为：生球碱度～0.9，还原温度和还原时间分别为1250 ℃和25 min

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

本篇主要介绍了压力加工的基本原理、各种压力加工方法及压力加工先进 工艺; 学完本篇要求学生了解并掌握压力加工的基本原理、各种压力加工方法、 零件的结构工艺性和锻件及冲压件工艺设计

研究粉末扩散法使金刚石表面金属化的工艺。采用铜(或钴)、碳化物形成元素铬(或钛)和金刚石混合粉在真空下进行扩散热处理,金刚石表面形成由碳化物层和合金层组成的涂层。涂层可以通过固相扩散反应和液相存在下的扩散反应两种模式形成。铜基和钴基胎体材料和涂层金刚石间具有良好的结合强度。同无涂层金刚石比较,含涂层金刚石胎体材料的抗弯强度提高9%~20%

摘要概述了金、银、铂、钯回收提纯的有关化学反应原理,拟定了从铂钯精矿中回收金、银、铂、钯的工艺流程,采用硫酸化焙烧,酸浸除 贱金属,富集贵金属,再氯化分别提取贵金属,获得了满意的生产指标,金属回收率分别为:Au98.1%,Ag97.2%,Pt93.0%,Pd95.6%。 词铂钯精矿贵金属工艺选择