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通过高温压缩试验研究齿轮钢SAE8620H在950~1100℃、应变速率0.01~10 s-1条件下的高温变形行为.该合金钢的流动应力符合稳态流变特征,流变应力随变形温度升高以及应变速率降低而减小,其本构方程可以采用双曲正弦方程来描述.基于峰值应力、应变速率和温度相关数据推导出SAE8620H高温变形激活能Q=280359.9 J·mol-1.根据变形量40%和60%下应力构建该齿轮钢的热加工图,通过热加工图中耗散值及流变失稳区确定其热变形工艺参数范围.SAE8620H钢在在变形程度较小时宜选取低的应变速率进行成形,而在变形程度大时则要选取低温低应变速率或者高温高应变速率
文档格式:PDF 文档大小:745.19KB 文档页数:9
系统分析了国内某钢厂复合脱氧工艺下Cr Mo石油钻杆钢夹杂物在EAF-LF-VD-CC流程中的析晶和衍变规律.由于铝酸盐的上浮,LF冶炼前钢中T[O]含量较低,冶炼过程中氮含量逐渐升高.电镜下钢中大尺寸夹杂物(50μm左右)只出现在LF-VD阶段,主要为低熔点的硅锰酸盐、包含Na2O的混合物和含有少量CaO的镁铝尖晶石,中间包阶段大尺寸夹杂物完全消失.小尺寸夹杂物(<10μm)出现在精炼全过程中,主要成分是Mg、Al、Si和Ca的复合氧化物、CaS以及二者的复合物,LF冶炼前到中间包阶段小尺寸夹杂物粒径相似,铸坯中其粒径稍微增加.随着精炼过程的进行,钢中小尺寸夹杂物的成分逐渐向复合氧化物的低熔点区域转移,夹杂物中CaO和MgO含量存在竞争关系.铸坯中大型夹杂物(>100μm)包括卷渣引起的复合夹杂,耐材剥落产生的MgO-CaO夹杂和钢液内生的铝酸盐夹杂.内生铝酸盐与精炼过程中小尺寸夹杂物成分相似,外层包覆Ca S,轧制过程中容易破碎成链状引发钻杆钢裂纹.建议适当延长VD处理后钢液的镇静时间,以去除钢中大型铝酸盐夹杂,提高钻杆钢质量
文档格式:PPT 文档大小:1MB 文档页数:62
对于模拟滤波器,已经形成了许多成熟的设计方案,如巴特 沃兹滤波器切比雪夫滤波器考尔滤波器,每种滤波器都有自己 的一套准确的计算公式,同时,也已制备了大量归一化的设计 表格和曲线,为滤波器的设计和计算提供了许多方便,因此在 模拟滤波器的设计中,只要掌握原型变换,就可以通过归一化 低通原型的参数,去设计各种实际的低通、高通、带通或带阻 滤波器
文档格式:PDF 文档大小:3.16MB 文档页数:50
上海交通大学:《低温原理及应用》课程教学资源(课件讲稿)第12讲 低温绝热技术及低温贮运设计
文档格式:PDF 文档大小:3.16MB 文档页数:50
上海交通大学:《低温原理及应用》课程教学资源(课件讲稿)第12讲 低温绝热技术及低温贮运设计
文档格式:PDF 文档大小:1.34MB 文档页数:37
• 一、节流:焦耳-汤姆逊效应 • 二、绝热膨胀 • 三、绝热放气 • 四、低温制冷机循环
文档格式:PPT 文档大小:858.5KB 文档页数:65
对于模拟滤波器,已经形成了许多成熟的设计方案,如巴特 沃兹滤波器切比雪夫滤波器考尔滤波器,每种滤波器都有自己 的一套准确的计算公式,同时,也已制备了大量归一化的设计 表格和曲线,为滤波器的设计和计算提供了许多方便,因此在 模拟滤波器的设计中,只要掌握原型变换,就可以通过归一化 低通原型的参数,去设计各种实际的低通、高通、带通或带阻 滤波器
文档格式:PPT 文档大小:111.5KB 文档页数:52
了解: 1、超高热危象的病因 2、高血压危象的病因与诱因 3、高血糖危象的诱因与发病机制 4、低血糖危象的病因与发病机制 5、甲状腺功能亢进危象的病因与发病机制 6、重症肌无力危象的发病诱因 熟悉: 1、超高热危象的病情评估 2、高血压危象的病情评估 3、高血糖危象的病情评估 4、低血糖危象的病情评估 5、甲状腺功能亢进危象的病情评估 6、重症肌无力危象的病情评估 掌握: 1、超高热危象的急救护理 2、高血压危象的急救护理 3、高血糖危象的急救护理制 4、低血糖危象的急救护理 5、甲状腺功能亢进危象的急救护理 6、重症肌无力危象的急救护理
文档格式:PDF 文档大小:1.55MB 文档页数:7
采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡层为α-SiC,在较低沉积温度范围(580-290)℃过渡层则由α-SiC和SiO2所构成。对界面层中α-SiC和SiO2的晶体结构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论
文档格式:PDF 文档大小:505.59KB 文档页数:3
在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ni81Fe19/Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明,较厚的薄膜、较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻.其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度,进而降低电子的散射,减小电阻R,增大△R/R.而较厚薄膜中,大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的负作用,使△R/R值增大
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