2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （ 1） 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ）

4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层

一、 通过本章的学习，使学生掌握微型计算机中存储器的基本概念、存储器的系统组成以及高速缓冲存储器技术 二、了解半导体存储器的主要性能指标、半导体存储器的分类教学目的和教学要求：

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应

引言 2.2.1MOS场效应管 2.2.2结型场效应管 2.2.3场效应管的主要参数

一、半导体三极管 二、基本放大电路

pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的，也称为“同质结”

一、 了解半导体存储器的结构、特点和功能 二、 RAM、ROM的应用