一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev

一 、判 断下列说 法是否正 确 ，用“ √ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 （ 1） 在 N 型半导 体中如果 掺入足够 量的三价 元素，可 将其改型 为 P 型半导体。（ ）

3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用  第1、2学 时：半导体存储器RAM、ROM  第3、4学 时：ROM、RAM的应用  第5、6学 时：PLD（PAL、PLA、GAL）

第1章 半导体二极管及其应用电路 第2章 半导体三极管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 第4章 负反馈放大电路 第5章 集成运算放大器 第6章 信号产生电路 第7章 功率放大电路 第8章 直流稳压电源 第9 章 模拟电子技术在实际中的应用

一、半导体三极管 二、放大电路的图解分析法 三、放大电路的小信号模型分析法 四、放大电路工作点稳定 五、共集电极和共基极电路 六、放大电路的频率响应 七、放大电路的瞬态响应

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1 典型半导体材料晶体结构类型 5.2 半导体材料晶体结构与性能 5.3 电子材料中其他几种典型晶体结构 5.4 固溶体晶体结构 5.5 液晶的结构及特征 5.6 纳米晶体的结构及特征

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻