Bl系列适用于交流50HZ,额定电压至250V额定电流 20A的低压操作控制电路,作线端连接分线和实验之用

离子液体电沉积铝技术具有广阔的应用前景，而添加剂是提高铝镀层性能的有效方法，但相关作用机制还有待明确。本文应用量子化学和分子动力学模拟研究了二氯甲烷（DCM）和甲苯(C7H8)对氯化-1-丁基-3-甲基咪唑/三氯化铝([BMIM]Cl/AlCl3)体系的微观结构、物理化学性质和铝电沉积的影响。发现DCM易与阴、阳离子形成氢键，分布在阴阳离子之间使得阴阳离子间距离增加、相互作用能减小, 导致阴阳离子扩散能力增强、铝配离子更倾向以${\\rm{A}}{{\\rm{l}}_2}{\\rm{Cl}}_7^ -$

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分，共 10 分) 1.功率放大器的效率是指( )。 A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.输出功率与管耗之比 D.管耗与电源功率之比

⚫掌握输入/输出接口电路和基本概念、掌握I/O端口编址方法和特点及地址译码方法。 ⚫掌握CPU与外设数据传送的方式方法。 ⚫掌握并行数据接口的基本概念、可编程输入/输出接口芯片8255A的结构、应用及编程方法。 ⚫掌握串行数据接口的基本概念、RS232C串行接口标准、可编程串行接口芯片8250的结构、应用及编程方法。 ⚫ 6.1 微型计算机接口技术概述 ⚫ 6.2 输入与输出 ⚫ 6.3 并行数据接口 ⚫ 6.4 串行数据接口 ⚫ 6.5 DMA接口 ⚫ 6.6 8253可编程定时计数器 ⚫ 6.7 数/模、模/数转换器及其与CPU的接口

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

自测题 一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√ 二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB 三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C

一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)在图T8.1所示方框图中,若中F=180°,则只有当中A=±180° 时,电路才能产生正弦波振荡。()

第八章波形的发生和信号的转换 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)在图T8.1所示方框图中,若中F=180°,则只有当中A=±180°时,电路才能产生正弦波振荡。()

第8章并行接口与应用 8.1并行接口的基本概念 8.2可编程并行接口芯片8255A 8.3可编程并行接口芯片8155 8.4单片机与键盘和数码管显示器的接口电路

§6.1 51系列单片机并行扩展原理 §6.2 程序存储器扩展 §6.3 数据存储器扩展 §6.4 RAM/IO扩展8155的接口和应用 §6.5 并行接口8255A的接口技术和应用 §6.6 74系列器件的接口技术和应用 §6.7 AD及 DA转换电路 §6.8 液晶显示模块LCM的接口和编程 §6.9 模拟串行扩展技术