1.1 概述 1. 2 几种常用的数制 1.3 不同数制间的转换 1.4 二进制运算 1.5 几种常用的编码

10-5 已知U2=20 UO(AV)=0.9U2=0.9×20＝18V IO(AV)= UO(AV)/ RL=18/1=18mA ID(AV)= IO(AV)/2=18/2=9mA URM = 2U2 = 1.41 20 = 28.2V

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

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第一章防爆基础理论概要 第二章电气设备防爆技术标准化现状 第三章电气设备防爆技术简介 第四章中国防爆产品管理要求 第五章防爆电气设备工程实践要求

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

❖ 第一节 电子光学基础 ❖ 第二节 电子与固体物质的相互作用 ❖第三节 透射电镜（TEM） ❖第四节 扫描电镜 ❖第五节 电子探针(Electron Micro￾probe Analysis, EMPA or EPMA) 第六节 扫描隧道显微镜 (STM) 第七节 原子力显微镜 (AFM) 第八节 电子显微镜分析在材料研究中的应用 ❖ 一、形态、精度的分析 ❖ 二、元素的存在状态分析 ❖ 三、玻璃的非晶态结构分析 ❖ 四、材料断面的研究 ❖ 五、晶界（微观研究） ❖ 六、微区结构分析 ❖ 七、高分子材料的研究

《电路原理》课程是高等学校电子与电气信息类专业的主要 的基础课,是所有强电和弱电专业的必修课 主要内容为分析电路中的电磁现象,研究电路的基本规律及 分析方法