6.1 系统扩展概述 6.2 存储器扩展 6.3 并行I/O口扩展 6.4 显示器接口技术 6.5 键盘接口 6.7 I2C总线扩展

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

9.1 串行扩展概述 9.2 UART串行扩展接口 9.3 I2C串行扩展总线 9.4 SPI串行扩展接口

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

4.1 微机接口 4.2 I/O接口的基本结构 4.3 接口数据传送的控制方式

一,判断切换的准则是什么? (1)按接收信号载波电平的测量值进行判断; (2)按MS的载干比(即载波功率与干扰噪声的功率比,记为C/I进行判断; (3)按MS到BS的距离进行判断

2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 2.4.0 非线性元件的认识

• 了解数据总线、地址总线和控制总线的构成。 • 掌握片外扩展程序存储器和数据存储器的方法。 • 掌握扩展I/O的方法和可编程芯片8255及8155的应用。 • 控制总线的构成方法和扩展存储单元地址的分析方法。 • 8255A与8155的应用。 • 7.1 并行扩展概述 • 7.2 程序存储器扩展 • 7.3 数据存储器扩展 • 7.4 简单并行I/O接口扩展 • 7.5 8255可编程并行接口扩展 • 7.6 8155可编程并行接口扩展