学习目的: 能够制作与编辑具有文字、表格、图象和声音且具有各种颜色、字体 、动画效果的演示文稿

PowerPoint介绍 目录 1、了解 PowerPoint 2、制作第一篇演示文稿 3、自定义您的演示文稿 4、演示第一篇演示文稿 5、获取其他信息和提示

6.1 Office家族简介 6.2认识word2000 6.3文档的基本编辑方法 6.4文档的排版 6.5表格制作 6.6图文混排 6.7页面排版和打印文档

第5章中文 PowerPoint演示软件2000 1 中文 PowerPoint2000概述 2 演示文稿的创建 3 幻灯片的制作 4 演示文稿的演示及打印

一、本教材电子教案(演示文稿)采用 POWERPOINT2000制作,用户可根据教学需求随意修改,使用非常方便。 二、本电子教案以鲜艳的色彩,明亮的格调为主旋律,加上不同风格的动画,给人一种朝气蓬勃、耳目一新的感觉。每章风格各不相同,充分发挥了作者的创意。 三、本电子教案由华北电力大学(北京)工商管理学院教授李存指导,并和李武教师一同制作完成

《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《力学》 《热学》 《电磁学》 《光学》 《普通物理实验》 《原子物理学》 《计算机软件应用技术》 《计算机软件应用技术》实验 《图像处理实用技术》 《图像处理实用技术》实验 《数据库系统原理》 《网站设计与网页制作》 《网站设计与网页制作》实验 《操作系统》 《LINUX 操作系统》 《Linux 操作系统》实验 《网络程序设计》 《网络程序设计》实验 《计算机网络 B》 《计算机网络 B》实验 《流媒体技术》 《流媒体技术》实验 《多媒体软件应用技术》 《多媒体软件应用技术》实验 《NET 程序设计》 《NET 程序设计》实验 《局域网组建与管理》 《局域网组建与管理》实验 《数据结构》 《网络安全》 《VB 程序设计基础》 《VB 程序设计基础》实验 《Flash 技术基础》 《Flash 技术基础》实验 《VC++程序设计》 《VC++程序设计》实验 《视频编辑与制作》 《视频编辑与制作》实验 《电动力学 1》 《热力学与统计物理 1》 《计算机组成原理》 《日语基础》 《量子力学 1》 《三维动画制作》 《三维动画制作》实验 《Java 程序设计》 《Java 程序设计》实验 《科技论文写作》 《认识实习》 《生产实习》 《软件设计与开发实践》

《高等数学 A》 1 《C 语言程序设计》 7 《C 语言程序设计》实验 11 《线性代数》13 《概率论与数理统计 B》 16 《模拟电子技术基础 B》 19 《数字电子技术基础》22 《模拟电子技术基础实验》25 《数字电子技术基础实验》27 《力学》29 《热学》34 《电磁学》38 《光学》42 《普通物理实验》47 《原子物理学》53 《计算机软件应用技术》57 《计算机软件应用技术》实验61 《图像处理实用技术》63 《图像处理实用技术》实验65 《数据库系统原理》66 《网站设计与网页制作》69 《网站设计与网页制作》实验71 《操作系统》73 《LINUX 操作系统》 76 《Linux 操作系统》实验 79 《网络程序设计》81 《网络程序设计》实验83 《计算机网络 B》 85 《计算机网络 B》实验 88 《流媒体技术》90 《流媒体技术》实验92 《多媒体软件应用技术》94 《多媒体软件应用技术》实验96 《NET 程序设计》 98 《NET 程序设计》实验 100 《局域网组建与管理》102 《局域网组建与管理》实验107 《数据结构》113 《网络安全》118 《VB 程序设计基础》 120 《VB 程序设计基础》实验 124 《Flash 技术基础》 125 《Flash 技术基础》实验 127 《VC++程序设计》128 《VC++程序设计》实验133 《视频编辑与制作》134 《视频编辑与制作》实验136 《电动力学 1》 137 《热力学与统计物理 1》 140 《计算机组成原理》144 《日语基础》149 《量子力学 1》 151 《三维动画制作》154 《三维动画制作》实验157 《Java 程序设计》 158 《Java 程序设计》实验 163 《科技论文写作》164 《认识实习》166 《生产实习》168 《软件设计与开发实践》170

为什么采用半导体材料制作电子器件? 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时 会产生什么现象?

课题一 水温控制系统设计 课题二 用8×8点阵显示器制作电子显示屏 课题三 电子万年历的设计与制作

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求