选用侧链含有双元光敏基团的梯形聚硅氧烷材料作为光取向材料,采用偏光显微镜(POM)及晶体旋转法,研究了梯形聚硅氧烷光取向层的制备条件,包括取向剂浓度、紫外光辐照度及光照时间对光取向层的取向行为的影响.结果表明,取向剂浓度越大,光敏基团更易于组装成垂直取向状态,进而诱导液晶分子形成垂直取向的分子排列方式.在一定的紫外光辐照度范围内可以有效地引起偶氮苯光敏基团的面内、面外异构化及再取向,有利于取向层诱导液晶分子形成平面取向的分子排列方式.紫外光光照时间的增加有利于取向层诱导液晶分子形成平面取向的分子排列方式

一、含锆质耐火材料是指含有氧化锆（ZrO2）或锆英石（ZrO2SiO2）的耐火材料。 二、锆英石质耐火材料 三、氧化锆制品 四、铝硅锆制品

为了深入了解闪速燃烧法制备的Fe-Si3N4作为高温领域中新型原料的优良特性,用粒度小于74μm的Fe-Si3N4原料制成φ50mm×80mm的试样,成型压力为250kN,经1500℃恒温3h空气条件下烧成后,在试样内部钻取φ36min×50mm圆柱体进行气孔率、体积密度及常温耐压强度等指标检测,并结合XRD,SEM,EDS及DTA-TG等进行了分析.结果表明,用纯Fe-_Si3N4原料,不添加任何烧结助剂,依靠原料自身的Fe3Si以及原料中铁固溶体同氮化硅反应生成的Fe3Si的结合作用,在空气条件下低温烧成制备氮化硅铁耐火材料是可行的

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同

1.铸铁的特点 （ 1)成分与组织的特点 铸铁与碳钢相比较,除了有较高的碳、硅含量外,还有较高含量的杂质硫和磷。 由于铸铁中的碳主要是以石墨的形态存在,所以铸铁的组织是由金属基体和石墨所组 成的

3.1光电二极管特性的实验研究 3.2硅光电池特性的实验研究 3.2.1 开路电压与短路电流 3.2.2 伏安特性 3.3 电荷耦合摄像器件 3.3.1 电荷耦合器件工作原理 3.3.2电荷耦合摄像器件工作原理 3.3.3电荷耦合摄像器件的特性参数

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

Y /半导体的导电特性 1. 本征半导体 半导体材料与PN结 (1.2.1) 导电性能介于导体（如铜、铁等）与绝缘体（如 石头、木头）之间； 主要有：Si（硅） Ge（锗） GaAs（砷化镓）； 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 纯净的半导体称为本征半导体

生铁是指碳含量大于2%的铁碳合金c工业生铁一般含碳量不超过4.5%。按其成分 性能及用途的不同,生铁又分为三类 1)炼钢生铁 般硅含量较低(不大于175%),含硫量则较高(不大于0.07%),它 是平炉、转炉炼钢的主要原料,在生铁产量中占80%~90%。炼钢生铁硬而脆,断口为白 色,所以也称为白口铁

在工业用钢中除铁、碳之外，还含有其它元素。分 常存元素；偶存元素；隐存元素和合金元素。常存 元素有锰、硅、硫、磷。偶存元素是由于矿石产地 不同（有与铁共存的共生矿混入）及以废钢为原料， 在冶炼及工艺操作时带入钢中，如铜、钛、钒、稀 土元素等。隐存元素是指原子半径较小的非金属元 素，如氧、氢等。合金元素是指为改变成分特别添 加的元素，如铬、镍、钨、钼、钒等