1.1.3 点阵几何元素的表示 1.1.4 晶体缺陷 1.1.4.1 点缺陷 1.1.4.2 线缺陷和位错 1.1.4.3 面缺陷 1.1.4.4 体缺陷 1.1 结构缺陷的分类 1.1.4.1.1 热缺陷 1.1.4.1.2 杂质缺陷 1.1.4.1.3点缺陷的表示方法 1.1.4.1.4 缺陷反应方程式简介 1.1.4.1.5 点缺陷对材料性能的影响 1.1.4.2.2 螺旋位错 1.1.4.2.3 混合位错 1.1.4.2.4 位错的运动 1.1.4.3 Planar Defect平面位错

4.1 表象理论 4.1.1 菲克第一定律 4.1.2 菲克第二定律 4.1.3 扩散方程的解 4.1.4 置换固溶体中的扩散 4.2 扩散的热力学分析 4.2.1 扩散驱动力 4.2.2 上坡扩散影响因素 4.3 扩散的原子理论 4.3.1 扩散机制 4.3.2 原子跳跃和扩散系数 4.4 扩散激活能 4.5 无规行走与扩散距离 4.6 影响扩散的因素

4.1.1. 反应历程和催化剂 4.1 芳环上的取代氯化 4.1.2. 氯化动力学 4.1.3 影响因素 4.1.4 氯化实例 4.2 溴化 4.3 碘化

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

4.1 陶瓷表界面 4.1.1晶体的表面与界面 4.1.2晶体对无机非金属陶瓷性能的影响 4.1.2 晶界对无机非金属陶瓷性能的影响 4.1.1 晶体的表面与界面

混凝土及钢筋混凝土工程 4.1混凝土及钢筋混凝土工程基本要点及有关公式 4.1.1定额子目的划分依据 4.1.2预算编制基本要点 4.1.3混凝土各构件的区划 4.1.4混凝土构件工程量计算的有关公式 4.1.5钢筋铁件工程量计算的有关公式

4.1 聚合物分子量的统计意义 4.1.1 聚合物分子量的多分散性 4.1.2 统计平均分子量 4.1.3 分子量分布宽度 4.1.4 聚合物的分子量分布函数： 4.2 聚合物分子量的测定方法 4.2.1 端基分析 4.2.2 沸点升高和冰点降低 4.2.3 气相渗透法（VPO）（热效应法） 4.2.4 膜渗透压法 4.2.5 光散射法 4.2.5.1 小粒子溶液 4.2.5.2 大粒子溶液 4.2.6 粘度法 4.2.6.1 粘度的表征 4.2.6.2 粘度的浓度依赖性 4.2.6.3 特性粘度与分子量的关系 4.3 聚合物分子量分布的测定方法 4.3.1 沉淀与溶解分级 4.3.2 凝胶渗透色谱（GPC） 4.3.2.1 分离机理 4.3.2.2 填料及仪器装置 4.3.2.3 柱效、分辨率和宽展效应 4.3.2.4 色谱图的标定及数据处理

4.1 金属的强化机制 4.1.1 晶界强化 4.1.2 形变强化 4.1.3 固溶强化 4.1.4 分散强化 4.2 强韧性能控制 4.2.1 控制轧制的概念 4.2.2 强韧性的概念 4.2.3 影响强韧性的因素 4.2.4 轧制工艺参数控制

4.1 概论 4.1.1 分析化学中的络合物 4.1.2 EDTA及其络合物 4.1.3 EDTA络合滴定中的主要矛盾 4.2 络合平衡 4.2.1 络合物的平衡常数与各级分布分数 4.2.2 副反应系数 4.2.3 条件稳定常数 4.2.4 金属离子缓冲溶液及配位体缓冲溶液

4.1 汇编语言源程序 4.1.1 汇编语言源程序的结构 4.1.2 汇编语言的语句与格式 4.1.3 数据项与表达式 4.2 伪指令 4.2.1 数据定义伪指令 4.2.2 符号定义伪指令 4.2.3 段定义伪指令