4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

4.1 模糊逻辑的数学基础 4.1.1 模糊集合 4.1.2 模糊集合的表示方法 4.1.3 模糊集合的运算 4.1.4 隶属函数确定方法 4.1.5 模糊关系 4.2 模糊逻辑的推理 4.2.1 模糊命题 4.2.2 模糊逻辑 4.2.3 模糊语言 4.2.4 模糊推理 4.3 模糊控制系统概述 4.3.1 模糊控制系统的构成 4.3.2 模糊控制系统的原理 4.4 模糊控制器原理 4.5 模糊控制器设计基础 4.6 双入单出模糊控制器设计 4.6.1 模糊化 4.6.2 模糊控制器规则、模糊关系 4.6.3 清晰化 4.6.4 控制表计算程序

4.1 RDD编程基础 4.1.1 RDD创建 4.1.2 RDD操作 4.1.3 持久化 4.1.4 分区 4.1.5 一个综合实例 4.2 键值对RDD 4.2.1 键值对RDD的创建 4.2.2 常用的键值对RDD转换操作 4.2.3 一个综合实例 4.3 数据读写 4.3.1 文件数据读写 4.3.2 读写HBase数据 4.4 综合案例 4.4.1 案例1：求TOP值 4.4.2 案例2：文件排序 4.4.3 案例3：二次排序

4.1 防火墙概念与分类 4.1.1 防火墙简介 4.1.2 包过滤防火墙 4.1.3 代理服务防火墙 4.1.4 复合防火墙 4.1.5 个人防火墙 4.2 防火墙体系结构 4.2.1. 堡垒主机 4.2.2. 非军事区 4.2.3. 屏蔽路由器 4.2.4 双宿主主机体系结构 4.2.5 主机过滤体系结构 4.2.6 子网过滤体系结构 4.2.7 组合体系结构 4.3 防火墙选型与产品简介 4.3.1 防火墙的局限性 4.3.2 开发防火墙安全策略 4.3.3 防火墙选型原则 4.3.4 典型防火墙简介

混凝土及钢筋混凝土工程 4.1混凝土及钢筋混凝土工程基本要点及有关公式 4.1.1定额子目的划分依据 4.1.2预算编制基本要点 4.1.3混凝土各构件的区划 4.1.4混凝土构件工程量计算的有关公式 4.1.5钢筋铁件工程量计算的有关公式

4.1机械加工工艺规程设计 4.1.1零件图的审查 4.1.2毛坯的确定 4.1.3定位基准的选择 4.1.4加工工艺路线的制定

4.1调整视图的显示方法 4.1.1缩放视图 4.1.2平移视图 4.1.3命名视图 4.1.4重画与重生成

主要内容 4.1对象的声明与创建 4.1.1基本术语 4.1.2对象的声明 4.1.3对象的创建 4.1.4数组对象的声明和创建 4.2对象的初始化 4.2.1成员变量的缺省初始化过程 4.2.2类成员变量的初始化与静态代码块 4.2.3实例成员变量的初始化与构造方法 4.2.4程序健壮性的代价和编码启示 4.2.5类成员变量与实例成员变量初始化的区别 4.2.6继承链上相关类的加载顺序以及构造方法链的调用 4.3对象的使用 4.3.1多态的使用 4.3.2对象的比较 4.3.3对象的传递 4.3.4内部类的使用 4.4对象的清除

4.1 数据查询功能 • 4.1.1 查询语句的基本结构 • 4.1.2 简单查询 • 4.1.3 多表连接查询 • 4.1.4 子查询 4.2 数据更改功能 • 4.2.1 插入数据 • 4.2.2 更新数据 • 4.2.3 删除数据

4.1 编程语言 (4.1.1助记符语言; 4.1.2操作码; 4.1.2操作数) 4.2 指令格式及其分类 4.3 寻址方式 4.4 数据传送类指令 4.5 逻辑操作类指令 4.6 算术运算类指令