北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 静态CMOS逻辑电路 4.5 复杂逻辑门

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 静态CMOS逻辑电路 4.4 与非门/或非门

1.掌握MOS管等效电路;会用等效电路分析放 大电路。 2.掌握E/D、E/E、CMOS单级放大电路的电路 形式、特点、特性

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

Simplistic Model Physical Structure Threshold Voltage Long Channel Current Equations Regions of Operation Transconductance Channel Length Modulation CMOS Processing Technology MOS Layout Device Capacitances Device Capacitances Passive Devices Small Signal Models Circuit Impedance Equivalent Transconductance Short-Channel Effects Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) Effects of Velocity Saturation Hot Carrier Effects

3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4 TTL门电路 3.5 ECL集成电路 3.6 Bi-CMOS电路 3.7 不同类型数字集成电路间的接口

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路

广东海洋大学：《数字电子技术》课程教学资源（PPT课件）2.5 具有无关项的逻辑函数及其化简 3.2.1 CMOS反相器和传输门 3.2.2 CMOS与非门、或非门和异或门