1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

1.为什么要研究频率响应 2. 频率响应的分析任务 3. AV随 f 变化的原因

3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析

3.7.1单时间常数RC电路的频率响应 RC低通电路的频率响应 RC高通电路的频率响应 3.7.2单极放大电路的高频响应标(主要是增 3.7.3单极放大电路的低频响应益)随信号频

1. BJT小信号模型是在什么条件下建立的？受控源是何种类型的？ 2. 若用万用表的“欧姆”档测量b、e两极之间的电阻，是否为rbe?

一、电路组成 二、简化电路及习惯画法 三、简单工作原理 四、放大电路的静态和动态 五、直流通路和交流通路

存储器是计算机实现“记忆”功能的部件，用来存放数据和程序。 微机的存储器系统一般是以分级进行组织的，典型的存储系统是：高速缓冲存储器、内（主）存储器和外（辅）存储器三级分层次的体系结构。 3.1 半导体存储器 3.2 存储器体系结构