复旦大学：《集成电路工程》教学资源（硕士士学位论文）CMOS带隙基准源研究

电子科技大学：《电路分析基础 Electric Circuit Analysis》课程教学资源（电子技术基础实验教学教案，PPT版）RC带通滤波器的设计与测试

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电子科技大学：《电路分析基础 Electric Circuit Analysis》课程教学资源（电子技术基础标准实验报告）RC带通滤波器的设计与测试

1、 2ASK 2、2FSK 3、2PSK 4、2DPSK 3、 MPSK(多元绝对移相键控) 4、 MDPSK 5 联合键控

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

3.6.1 各种门电路之间的接口问题 3.6.2 门电路带负载时的接口问题

1. 数字调制概述 2. 幅移键控2ASK 3. 频移键控2FSK 4. 相移键控2PSK

东华大学出版社：《光电信息技术》教材电子教案（PPT课件讲稿）第一章 光电信息技术物理基础 1.1.1 能带理论

采用单辊熔体快淬法制备宽6~8mm、厚30~40μm的Fe78.3Cu0.6Nb2.6Si9.5B9合金薄带.其直流磁性能为：饱和磁感应强度Bs=1.06T，剩磁Br=0.39T，矫顽力Hc=3.53A/m，最大磁导率μm=2.43mH/m；交流磁性能为：铁损P0.5T/1kHz=22.2W/kg，P0.2T/100kHz=864W/kg，对应的有效磁导率μe分别为833和1225.场发射高分辨扫描电镜观察发现，不同工艺参数制备的快淬带因晶化程度不同，对应的断口形貌特点也不同，非晶相和纳米晶复合的合金带断口可见镜面区和雾状区、周期性褶皱、河流状花样等，而晶化接近完全的合金带呈沿晶断裂.纳米力学探针研究表明，非晶相和纳米晶复合的合金带的微区硬度和弹性模量低于晶化接近完全的合金带.基于Luborsky法，利用自行设计的装置测量断裂应变，对材料的韧性进行半定量分析