§1-1 半导体物理中基本概念 • 载流子：电子与空穴 • 有效质量 • 费米能级与准费米能级 • 热平衡态与非平衡态 • 本征与掺杂 • 施主与受主 • 散射与碰撞 • 漂移与扩散 • 稳态与非稳态 §1-2 半导体材料特性 • 晶格结构 • 密勒指数 • 载流子的概念 • 半导体器件理论基础 §1-3 半导体能带论 • 能带的概念 • 有效质量的概念 • 载流子的概念 • 多能谷半导体 • 态密度 §1-4 平衡载流子和非平衡载流子 §1-5 载流子输运理论

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体极管 1.3特殊ニ极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型

第10章功率接口 在MCS-51单片机系统中有时需要单片机控制各种各样的外设,如电动机、电磁铁,继电器、灯泡等,显然这些不能用单片机的线来直接驱动,而必须经过单片机的接口电路来驱动。此外,为了隔离和抗千扰,有时进行电路隔离。本章将介绍常用的各种接口器件以及它们与MCS51单片机的接口电路。 掌握要点 1.MCS-51常用接口器件 2.MCS-51常用接口设计

电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件， 以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的 电路或装置，以完成对电能的变换和控制

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性