以LiNO3和TiO2为初始反应物,固相法合成了Li4Ti5O12(M1).X射线衍射实验结果表明,所得粉体为较纯的尖晶石结构的Li4Ti5O12复合氧化物.Li4Ti5O12电极以35mA·g-1电流密度恒流充放电,首次放电容量达到170mAh·g-1,接近理论容量,首次充放电效率为92%.其在大电流密度下充放电性能良好,以175,350,875mA·g-1的电流密度放电,放电容量分别达到了151,140,115mAh·g-1;与传统方法使用LiOH和TiO2固相合成的Li4Ti5O12(M2)加以比较,3个倍率下的放电容量分别提高了约5%,10%和26%.循环伏安曲线表明:M1电极电位极化小,可逆性好,电极电化学活性高;M1电极嵌入/脱出锂后交流阻抗测试表明其电化学反应阻抗分别为16和20Ω

 1-1 材料的物理性质  1-2 材料的基本力学性质  1-3 材料的耐久性  1-4 材料其他性质  1-5 材料的其他性质  1-6 材料的组成、结构和构造

对产烟酸羟化酶的菌株Pseudomonas sp.BK-1的培养条件进行了优化,结果表明10g·L-1蔗糖为最佳碳源,20g·L-1玉米浆为最佳氮源,诱导物烟酸浓度12.5g·L-1,培养基的最适初始pH值7.0.5L发酵罐中进行发酵,在转速400r·min-1、通气量4.2L·min-1、30℃条件下,16h时酶活可达1.47U·mL-1.经36h的连续催化,产物6-羟基烟酸的浓度可以积累到154g·L-1

采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因

1范围 本方法适用于水和废水中1,2一二氯苯、1,4一二氯苯、1,2,4一三氯苯的测定。 本方法最低检出浓度:1,2一二氯苯为2i/L;1,4-二氯苯为5ig/L;1,2,4一三氯 苯为ligL

供试小麦染色体工具材料的细胞学鉴定 中国春二体小麦体细胞染色体数为42,含有2对随体(Ⅳ图版2),花粉母细胞减 数分裂中期Ⅰ构型为21Ⅱ(图版I-2),联会配对紧密。中国春缺四体1B1D体细胞染 色体数为42,含有1对随体(图版Ⅳ-3),细胞减数分裂中期I染色体构型为19Il+Ⅳ (图版I-3)。阿勃1B缺体体细胞染色体数为40条,含有1对随体染色体(图版Ⅳ1) 减数分裂中期I染色体构型为20I(图版I-1)

二、原子能级的量子数 主量子数n:表示电子离核的远近程度或电子层数,是决 定电子能量的主要参数。n=1,2,.,用K,L,M.表示; 角量子数l:表示电子的亚层能级,描述电子轨道。l=0,1,2, n-1,用s,p,d,f表示; 磁量子数m:决定电子轨道在空间的方向,m=±1,2,…,± ,共(2+1)个,表示口并度; 自旋量子数m:取+1/2和-1/2,分别表示二种自旋方向

4.1 二烯烃的分类和命名 4.1.1 二烯烃的分类 4.1.2 二烯烃的命名 4.2 二烯烃的结构 4.2.1 丙二烯的结构 4.2.2 1,3–丁二烯的结构 4.3 电子离域与共轭体系 4.3.1 π,π–共轭体系 4.3.2 p,π–共轭体系 4.3.3 超共轭 4.4 共振论 4.5 共轭二烯烃的化学性质 4.5.1 1,4–加成反应 4.5.2 1,4–加成的理论解释 4.5.3 电环化反应 4.5.4 双烯合成 4.5.5 周环反应的理论解释 4.5.6 聚合反应与合成橡胶

1SR154400/1sR154-600 Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600 EXternal dimensions(Units: mm) （1)General purpose rectification （2) Surge absorption