3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管

第6章电子技术中常用半导体器件 6.1半导体的基本知识 6.2半导体二极管 6.3特殊二极管 6.4双极型二极管 6.5单极型三极管

采用磁力搅拌与放电等离子烧结技术制备了碳纳米管(CNT)增强铝基复合材料.对试样进行了扫描电镜和透射电镜表征,测试了试样的力学性能、摩擦性能、电学性能和热学性能.当碳纳米管在试样中的质量分数为1%时,可在铝基体中均匀分布且CNT/Al界面结合良好,此时试样的抗拉强度和硬度较纯A1分别提高了29.4%和15.8%.在获得最佳力学性能强化和最佳减磨效果的同时.试样电导率较纯Al仅降低8.0%.碳纳米管可提高基体的热导率.但强化效果不明显

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

§3-1半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3半导体二极管 §3-4二极管基本电路及分析方法 §3-5特殊二极管

第四章信息系统的开发方法 MIS开发是一个涉及到技术和管理两个方面问题的系统工程。通常由具有这两种知识背景的人员组成开发小组来进行。值得注意的是许多信息系统失败并不是因为技术落后,而是因为技术与管理无法相结合。 本章学习目标: 1.了解信息系统建设是一个复杂的社会过程。 2.熟悉信息系统的开发方法。 3.熟悉信息系统开发的组织管理

§2-1 半导体基础知识 §2-2 PN结的形成及特性 §2-3 半导体二极管 §2-4 二极管基本电路及其分析方法 §2.5 特殊二极管

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、特殊二极管 五、二极管基本电路分析

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项