7.7.2 增益一带宽积 7.7.1 频率响应的一般表达式

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

>>4.1 示波器的使用>>4.2 函数发生器、晶体管毫伏表的使用>>4.3 直流稳压电源、万用表的使用 >>4.4 叠加定理的验证>>4.5 一阶电路时域响应的测量>>4.6 串联RLC电路时域响应的测试 >>4.7 正弦稳态时R、L、C电压电流相位关系的测试>>4.8 RC低通滤波器的设计与测试 >>4.9 二阶RC高通滤波器的设计与测试>>4.10 RLC串联谐振电路>>4.11 RC带通滤波器的设计与测试 一、实验目的

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

5–1 频率响应的概念 5–2 单级共射放大器的高频响应 5–3 共集电路的高频响应 5–4 共基电路的高频响应 5–5 差分放大器的频率响应 5–6 场效应管放大器的高频响应 5–7 放大器的低频响应 5–8 多级放大器的频率响应 5–9 建立时间tr与上限频率fH的关系 5–10 举例及计算机仿真

6–1 反馈的基本概念及基本方程 6–2 负反馈对放大器性能的影响 6–3 反馈放大器的分类及对输入、输出阻抗的影响 6–4 反馈放大器的分析和近似计算 6–5 反馈放大器稳定性讨论 6—6 运算放大器的小信号闭环带宽、压摆率及功率带宽

7 – 1 集成运算放大器在基本运算中的应用 7 – 2 有源RC及开关电容滤波器 7 – 3 集成运算放大器精密二极管电路 7 – 4 电压比较器及弛张振荡器 7 – 5 模拟开关 7 – 6 集成运算放大器选择指南