采用升降法对CSP工艺生产的2mm厚Ti微合金化高强钢的疲劳性能进行研究.结果发现：高强钢的抗拉强度为830 MPa；疲劳强度为685 MPa，约为抗拉强度的0.83倍；伸长率为18.8%.绘制了高强钢的S-N曲线，并拟合出疲劳寿命与最大应力的关系.通过扫描电镜对疲劳断裂机理进行了分析.宏观疲劳断口可见明显的裂纹源区、扩展区和瞬断区形貌.疲劳裂纹起始于带钢表面微裂纹；疲劳扩展区存在微观疲劳辉纹、二次裂纹和宏观疲劳贝纹线；瞬断区出现撕裂棱，兼有韧窝存在

应力腐蚀裂缝内电化学行为的研究方法分为实际测量、模拟测试和理论计算三种。本文简略地介绍和评述了各种研究方法的进展情况及优缺点。存在的主要问题是:裂尖的电化学动力学过程、裂缝内电流及阻抗的分布规律、外部极化对裂尖电化学状态的影响等尚不清楚

一．选择题（每空 1 分，共 30 分）。从下列每题提供的 A、B、C、D 供选择的答案中，选出一个正确的答案，填在对应的（ ）内。 1．在计算机运行时，把程序和数据一样存放在内存中，这是 1946 年由（ ）领导的研究小组正式提出并论证的。 A．图灵 B．布尔 C．冯．诺依曼 D．爱因斯坦

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随机存储器简称为RAM是电子计算机的重 要组成部分它能够存储数据、指令、中间结果。 随机存取:是指存储器中任意一个存储单元都 能以随机次序迅速地存入(写入)信息或取出 (读出)信息 根据存储单元的工作原理,可分为:

❖ 输入输出是指程序与外部设备交换信息 ❖ C++把输入输出看成是一个数据流 ❖ 输入流：外围设备流向内存的数据 ❖ 输出流：内存流向外围设备的数据 ❖ 在C++中，输入输出不是语言所定义的部分，而是由标准库提供。 ❖ C++的输入输出分为： ➢ 基于控制台的I/O ➢ 基于文件的I/O ➢ 基于字符串的I/O

4.1 概述 4.2 存储器的层次结构 4.3 高速缓冲存储器（Cache) 4.4 存储介质 1.存储器的分类 2.存储器的层次结构 3.半导体存储芯片的译码方式（线选法、重合法）及其特点 4.存储器的性能指标 5.SRAM的工作原理 6.DRAM的工作原理 7.DRAM的刷新方式及其特点 8.磁表面存储器的记录方式 9.硬盘记录格式中的几个概念—盘面、磁道、扇区、柱面等 10.几种主要辅存的特点 11.CRC校验

只要函数 适当光滑连续，且关于 满足 条件，即存在常数 ，使得 由常微分方程理论知，初值问题的解必存在且 唯一