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GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用
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上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论,虽然取得了较大成功,能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题,但仍有不少物理性质,如有些金属正的霍耳 系数,固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质,以及部份金属电导率有各向异性等, 是这个理论无法解释的
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6.1存储器分类 6.2主存储器的主要技术指标 6.3读写存储器 6.4非易失性半导体存储器 6.5主存储器组成 6.6相联存储器 6.7存储系统与并行存储器 6.8高速缓冲器Cach 6.9虚拟存储器原理
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1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列
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第一章 绪论 第二章 逻辑代数基础 第三章 逻辑门电路 第四章 集成触发器 第五章 脉冲信号的产生与整形 第六章 组合逻辑电路 第七章 时序逻辑电路 第八章 数模和模数转换器 第九章 半导体存储器
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一、固体的能带 完全分离的两个氢原子能级
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在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战
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光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性
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1.4 .1 BJT的工作原理 1. 4 . 2 BJT的静态特性曲线 1. 4. 3 BJT的主要参数 1. 4. 3 BJT的小信号模型
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1.1.1 固体的分类 1.1.2 晶体的宏观特性
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