例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 07.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

第四章光源和光电检测器 4.1半导体的能带理论 4.2PN结的能带结构 4.3同质结和异质结 4.4发光二极管的工作原理 4.5半导体激光器的工作原理 4.6LD的工作特性 4.7光电检测器的工作原理和主要要求 4.8PIN和APD的工作原理 4.9光电检测器的工作特性

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备出高体积分数的铜/金刚石复合材料,并对复合材料的致密度、热导率和热膨胀系数等进行了研究.结果表明,采用该方法制备的铜/金刚石复合材料微观组织均匀,致密度分布为94%~99%,最高热导率为305W·(m·K)-1,热膨胀系数与常见电子半导体材料相匹配,能够满足电子封装材料的要求

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长期以来，在电动机调速领域中，直流调速方案一直占主要地位。 60 年代以后，随着电力电子学与电子技术的发展，使得采用半导体变流技术的交流调 速系统得以实现，特别是 70 年代以来，大规模集成电路和计算机控制技术的发展，为交流 电力传动的进一步开发创造了有利的条件