第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

1.掌握立体异构、光学异构、对称因素(主要指对称面、对称中心)手性碳原子、手性分子、对映体、非对映体、外消旋体、内消旋体等基本概念。 2.掌握书写费歇尔投影式的方法。 3.掌握构型的D、L和R、S标记法。 4.掌握判断分子手性的方法

1.掌握立体异构、光学异构、对称因素(主要指对称面、对称中心)、手性碳原子、手性分子、对映体、非对映体、外消旋体、内消旋体等基本概念。 2.掌握书写费歇尔投影式的方法。 3.掌握构型的D、L和R、S标记法。 4.掌握判断分子手性的方法。 5.初步掌握亲电加成反应的立体化学

9.1 光学和电子光学基础 9.2 透射电镜的结构及其成像机制 9.3 透射电镜用聚合物试样的制备技术 9.4 电子显微镜在高分子结构研究中的应用

6-7一定量的空气,吸收了1.71×103J的热量,并保持在1.0×105Pa下 膨胀,体积从1.0×10:2m3增加到1.5×10-2m3,问空气对外作了多少功?它 的内能改变了多少?

全息干涉术是人们在大量全息照片的拍摄实践中发现并发展起来的一门新的光学干涉 技术．1962 年第一张激光全息照片成功地拍摄以后不久，美国以利思（E.N.Leith）为首的 全息研究小组偶然发现，当一张全息感光干板进行了二次重复曝光，而在这二次曝光之间， 被摄物又稍有移动，则摄得的全息照片的再现物像上将呈现出一些独特的干涉条纹簇．

6-5如图6-5所示,一定量的空气,开始在状态A,其压强为2.0× 105Pa,体积为2.0×10-3m3,沿直线AB1.010P 变化到状态B后,压强变为1.0×105Pa

8.1 立体化学的任务 立体异构体的分类和定义 8.2 旋光性和分子结构的对称性因素 8.3 手性分子的分类及情况分析 8.4 消旋、拆分和不对称合成 一 外消旋化 二 差向异构化 三 外消旋体的拆分 四 不对称合成 8.5 不对称合成 8.6 对映体过量百分率、立体选向百分率与光学纯度百分率

2.1紫外-可见吸收光谱 (UV-Vis Absorption Spectroscopy) 2.2 Lambert-Beer定律 (Lambert-Beer's Law) 2.3紫外-可见分光光度计 (UV-Vis Spectrophotometer) 2.4分析条件的选择 (Optimization of Analytical Conditions) 2.5紫外-可见分光光度法的应用 (Applications of UV-Vis Spectrophotometry)

绪论 实验课程简介 第一部分 实验一：金相制备 第一章 金相显微镜的介绍 1．金相显微镜的光学放大原理 2．金相显微镜的主要性能 3．金相显微镜的构造和使用 第二章 金相样品的制备 1 取样 2 镶嵌 3 磨制 4 抛光 5 浸蚀 第三章 硬度测试 布氏硬度试验 第四章 实验概述 1 实验目的 2 实验内容 3 实验所用设备及材料 4 实验步骤 第二部分 实验二：金相观察 第一章 铁碳合金的介绍 1 工业纯铁 2 碳钢 3 白口铸铁 4 灰口铸铁 第二章 实验概述 第三部分 实验报告 1 实验一 一、预习报告内容 二、实验报告内容 2 实验二