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2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点
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一、已知无源二端网络ab端电压u=50√2cos(103t+10°)V 电流i=5√2cos(103t-26.9°)A a i 则网络的输入阻抗Z=8+j6 输入导纳y=0.08j0.06S
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一、计算图示电路中的瞬时输入功率 A、1A
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1. 正确理解放大电路主要性能指标的意义。 2. 掌握直流工作点的设置方法及其稳定的意义;会画放大电路的直流通路;掌握直流工作点的调节方法;能够熟练地估算直流工作点
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(1)传统的设计方法 焊接电路图—测试—修改电路—反复—确定—绘制印 制板图(绘图工具)—制作印制板(工艺流程) 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室
文档格式:PDF 文档大小:248.76KB 文档页数:26
(1)传统的设计方法 制板图(绘图工具)制作印制板(工艺流程)制印 焊接电路图测试修改电路反复确定一 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室
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5.3金属电导 5.3.3压力对材料电阻的影响 5.3.4固溶体的导电性 5.3.5金属间化合物
文档格式:PDF 文档大小:442.61KB 文档页数:5
循环伏安法证明,二氯化锰浓度和温度对铝-锰电沉积的影响极显著,在静止的熔盐中,较高的二氯化锰浓度和较低的温度有利于形成单一的非晶铝-锰相。恒电位法研究证明,非晶铝-锰的电沉积时,其成核速度很小,而且具有二维生长的特征,所以缺陷少、性能好
文档格式:PPS 文档大小:836KB 文档页数:27
实验目的 1.学习伏安法测电阻时电流表内接、外接的条件; 2.了解非线性电阻; 3.掌握仪表的接入误差对测量结果的影响; 4.学习数据处理和不确定度的计算
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2.8.1直接耦合放大电路的特殊问题 2.81.1级间直流电位匹配问题
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