6.1半导体存储器的分类 6.2读写存储器RAM 6.3现代RAM 6.4只读存储器ROM

一、填空题 1、某半导体器件的型号为KS50-7的,其中KS表示该器件的名称

一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称 为,50表示,7表示

第一部分 电子线路实验基础 实验一 元器件知识及仪器使用 第二部分 常用实验仪器 仪器一 YB1713双路直流稳压电源 仪器二 XD22型低频信号发生器 仪器三 COS5020TM型双踪示波器 仪器四 AS2173D型交流毫伏表 仪器五 XJ4810A型半导体管特性图示仪

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

电力电子学是研究电力的传送、电力的变换、电力的控制和电力的开关的电子学， 又称为功率电子学， 工业上称它为电力电子技术或半导体变流技术。 内容概要： 无触点开关 交流不间断电源 高压直流输电 静止无功补偿器 静止无功发生器 有源电力滤波器 可再生能源与电网的互联 灵活交流输电

§5-1 对晶闸管触发电路的基本要求 §5-2 单结晶体管移相触发电路 §5-3 锯齿波同步移相触发电路 §5-4 触发脉冲与主电路的同步 §5-5 干扰及抑制措施

元素周期表中第 I 族碱金属元素（Li、Na、K、Rb、Cs）与第 VII 族的卤素元素（F、Cl、Br、I）化 合物（如 NaCl， CsCl，晶体结构如图 XCH001_009_01 和 XCH001_010 所示）所组成的晶体是典 型的离子晶体，半导体材料如 CdS、ZnS 等亦可以看成是离子晶体

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用